[發明專利]雙向硅控整流器無效
| 申請號： | 201010532157.0 | 申請日： | 2010-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN102468344A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發明（設計）人： | 王云強 | 申請（專利權）人： | 精拓科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/87 | 分類號： | H01L29/87;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;祁建國 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙向 整流器 | ||
1.一種雙向硅控整流器，其特征在于，包括：
一基板，為一第一導電型態；
一埋入層，位于該基板上，且為一第二導電型態；
一第一井與一第二井，位于該埋入層上，且皆為該第一導電型態；
一第三井，位于該埋入層上，且于該第一井與該第二井之間，該第三井為該第二導電型態；
一第一半導體區與一第二半導體區，位于該第一井內；
一第三半導體區與一第四半導體區，位于該第二井內；以及
一摻雜區域，位于該第一半導體區與該第三半導體區之間，該摻雜區域包括部分的該第三井，且該摻雜區域為該第二導電型態。
2.如權利要求1所述的雙向硅控整流器，其特征在于，該摻雜區域還包括部分的該第一井與該第二井。
3.如權利要求1所述的雙向硅控整流器，其特征在于，該第一導電型態為N型或P型其中之一，該第二導電型態為N型或P型其中之另一。
4.如權利要求1所述的雙向硅控整流器，其特征在于，該第一半導體區與該第二半導體區連接至一陽極，該第三半導體區與該第四半導體區連接至一陰極。
5.如權利要求1所述的雙向硅控整流器，其特征在于，該第一半導體區與該第二半導體區連接至一陰極，該第三半導體區與該第四半導體區連接至一陽極。
6.如權利要求1所述的雙向硅控整流器，其特征在于，還包括至少一第四井，連接于該第一井、該埋入層與該基板之間，該第四井為該第二導電型態。
7.如權利要求6所述的雙向硅控整流器，其特征在于，該第四井為一磊晶層。
8.如權利要求1所述的雙向硅控整流器，其特征在于，還包括至少一第四井，連接于該第二井、該埋入層與該基板之間，該第四井為該第二導電型態。
9.如權利要求8所述的雙向硅控整流器，其特征在于，該第四井為一磊晶層。
10.如權利要求1所述的雙向硅控整流器，其特征在于，該第一半導體區與該第三半導體區為該第一導電型態或該第二導電型態其中之一，該第二半導體區與該第四半導體區為該第一導電型態或該第二導電型態其中之另一。
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