[發明專利]一種電控三級開關器件

無效

• 申請號: 201010531406.4
• 申請日: 2010-11-04
• 公開（公告）號: CN102468426A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 杜淵民
• 申請（專利權）人: 杜淵民
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一個電控三級開關器件，包括：一個第一電極，一個第二電極和一個活性區。

2.根據權利要求1所述的電控三級開關器件，其兩個電極的電極材料是金屬。

3.根據權利要求1所述的電控三級開關器件，其兩個電極中的一個電極材料是半導體，其兩個電極中的另一個電極材料是金屬。

4.根據權利要求1所述的電控三級開關器件，其活性區位于兩個電極之間；其活性區包含一個主要活性區，零個或一個或超過一個次要活性區。

5.根據權利要求4所述的活性區，其主要活性區厚度位于0.1納米到100納米之間。

6.根據權利要求4所述的活性區，其主要活性區的具體材料選自于硅，鍺，碳，氧化物，氮化物，硫化物，磷化物，碲化物，氯化物，硅化物，砷化物，碳化物，鍺化物，溴化物，或有機化合物，或這些材料的組和物或混合物。

7.根據權利要求4所述的活性區，其次要活性區厚度位于0.1納米到100微米之間。

8.根據權利要求4所述的活性區，其次要活性區的具體材料選自于鈾，鎳，鐵，鉛，銀，鈷，鋁，鎢，鈀，鈦，汞，金，銅，硅，鍺，氧化物，氮化物，硫化物，磷化物，碲化物，氯化物，硅化物，砷化物，碳化物，鍺化物，溴化物，或有機化合物，或這些材料的組和物或混合物。

9.根據權利要求4所述的活性區，其次要活性區和其主要活性區具有相同的化學元素。

10.根據權利要求4所述的活性區，其主要活性區被摻雜；其主要活性區的摻雜選自于氫，硅，硼，碳，堿性離子，金屬離子，氧陰離子或空缺，硫陰離子或空缺，硒陰離子或空缺，碲陰離子或空缺，氮陰離子或空缺，磷陰離子或空缺，砷陰離子或空缺，或鹵素陰離子或空缺。

11.根據權利要求4所述的活性區，其次要活性區被摻雜；其次要活性區的摻雜選自于氫，硅，硼，碳，堿性離子，金屬離子，氧陰離子或空缺，硫陰離子或空缺，硒陰離子或空缺，碲陰離子或空缺，氮陰離子或空缺，磷陰離子或空缺，砷陰離子或空缺，或鹵素陰離子或空缺。

12.根據權利要求1所述的電控三級開關器件，通過控制施加于該器件的電場，電荷被捕獲或釋放于一定的雜質能級或缺陷能級。

13.根據權利要求12所述的電荷被捕獲或釋放于一定的雜質能級或缺陷能級，然后分別以同樣大小的電壓施加于該器件，所獲得的電流大小具有三個不同的數值；該器件作為三級開關被使用。

14.根據權利要求12所述的電荷被捕獲或釋放于一定的雜質能級或缺陷能級，然后分別以同樣人小的電流通過該器件，所獲得的電壓大小具有三個不同的數值；該器件作為三級開關被使用。

15.根據權利要求1所述的電控三級開關器件，該電控三級開關器件作為集成電路的一個單元或一部分。

16.根據權利要求1所述的電控三級開關器件，該電控三級開關器件作為單獨器件結合具體電路來應用。