[發明專利]LED芯片與背板的焊接方法無效
| 申請號： | 201010530856.1 | 申請日： | 2010-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN102085589A | 公開（公告）日： | 2011-06-08 |
| 發明（設計）人： | 姚力軍;張汝京;王學澤;肖德元;牛崇實 | 申請（專利權）人： | 寧波江豐電子材料有限公司;西安神光安瑞光電科技有限公司 |
| 主分類號： | B23K1/00 | 分類號： | B23K1/00;B23K35/14 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 315400 浙江省寧波*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 芯片 背板 焊接 方法 | ||
1.一種LED芯片與背板的焊接方法，利用釬焊工藝連接LED芯片與背板，其特征在于，所述釬焊工藝采用的釬料金屬為自反應性Al-Ni薄膜。
2.如權利要求1所述的LED芯片與背板的焊接方法，其特征在于，所述自反應性Al-Ni薄膜呈納米層狀結構。
3.如權利要求1所述的LED芯片與背板的焊接方法，其特征在于，所述自反應性Al-Ni薄膜的厚度為0.05～0.2mm。
4.如權利要求1所述的LED芯片與背板的焊接方法，其特征在于，所述背板的材質為鋁合金。
5.一種LED芯片與背板的焊接方法，利用釬焊工藝連接LED芯片與背板，其特征在于，該方法包括如下步驟：
提供LED芯片、背板以及自反應性Al-Ni薄膜；
將所述LED芯片、自反應性Al-Ni薄膜以及背板依次疊放；
將所述自反應性Al-Ni薄膜點火，使所述自反應性Al-Ni薄膜產生自反應，實現焊接。
6.如權利要求5所述的LED芯片與背板的焊接方法，其特征在于，所述自反應性Al-Ni薄膜呈納米層狀結構。
7.如權利要求5所述的LED芯片與背板的焊接方法，其特征在于，所述自反應性Al-Ni薄膜的厚度為0.05～0.2mm。
8.如權利要求5所述的LED芯片與背板的焊接方法，其特征在于，所述將自反應性Al-Ni薄膜點火的實現方法為電脈沖或光源照射或直接局部加熱。
9.如權利要求5所述的LED芯片與背板的焊接方法，其特征在于，所述背板的材質為鋁合金。
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