[發明專利]含氧化鑭的摻鈷鎂鋁硅基納米微晶玻璃及其制備方法無效
| 申請號: | 201010530671.0 | 申請日: | 2010-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN102030476A | 公開(公告)日: | 2011-04-27 |
| 發明(設計)人: | 陳力;于春雷;陳偉;胡麗麗 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號: | C03C10/02 | 分類號: | C03C10/02 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 張澤純 |
| 地址: | 201800 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氧化 摻鈷鎂鋁硅基 納米 玻璃 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于無機非金屬類光電信息與功能材料領域,涉及一種可作為1.2~1.6μm波段激光器被動Q開關的含氧化鑭的摻鈷鎂鋁硅基納米微晶玻璃及其制備方法。
背景技術
調Q輸出是一種具有重要作用的激光技術。與機械、電光和聲光調Q等主動方式相比,被動調Q不需要外部電控制等其它附件,更容易被集成到激光器系統中,因而可以使全固態激光器件結構更緊湊、更簡單、成本更低。適合1.35μm和1.54μm波段的被動Q開關主要有摻Co2+單晶材料,如Co2+:YAG、YSGG、ZnSe、ZnS、LaMgAl11O19(LMA)和MgAl2O4(MALO)等。其中,摻Co2+尖晶石是目前調Q性能較優異的材料。(參見先技術:YUMASHEV?K?V,DENISOY?I?A,POSNOV?N?N,et?a?l.Excited?state?absorption?and?passive?Q-switch?performance?of?Co2+doped?oxide?crystals[J].J?Alloy?Compd?2002,341:366-370.)
近年來,摻Co2+納米微晶玻璃開始應用于1.35μm摻Nd3+激光器和1.54μm摻Er3+激光器的被動調Q,這類納米微晶玻璃中含有析出的尖晶石結構(如:LGO,MALO和ZnAl2O4)納米晶,進入納米晶內的Co2+就是實現調Q輸出的可飽和吸收中心。與摻Co2+晶體相比,摻Co2+納米微晶玻璃具有更大的基態吸收截面,更容易實現被動調Q輸出。從已獲得的輸出來看,比摻Co2+晶體更為優異,如脈寬達到70ns、調Q效率可達18%。(參見先技術:VOLK?Y?V,MALYAREVICH?A?M,YUMASHEV?K?V,et?al.Passive?Q-switching?of?erbium?glass?laser?by?magnesium?aluminosilicate?sitall?with?cobalt?ions[J].J?Appl?Spectrosc,2007,74(1):140-146.)
摻Co2+納米微晶玻璃可以通過對硅酸鹽玻璃進行熱處理獲得,基質玻璃的組分以SiO2和Al2O3為主,熔制溫度高,導致制備工藝過程有一定困難,也較難獲得很好的光學均勻性。這將增加摻Co2+納米微晶玻璃的光學損耗,直接影響到摻鉺激光器的輸出性能。
發明內容
本發明的目的在于克服上述現有技術的不足,提供一種含氧化鑭的摻鈷鎂鋁硅基納米微晶玻璃及其制備方法,以降低玻璃的轉變溫度和粘度,有利于成型光學均勻性較好的基質玻璃,為1.2-1.6μm波段,尤其是1.35μm摻Nd3+激光器和1.54μm摻Er3+激光器被動Q開關提供優質玻璃材料。
本發明的目的是通過如下技術方案實現的:
一種含氧化鑭的摻鈷鎂鋁硅基納米微晶玻璃,特點在于該基體玻璃的摩爾百分比組成為:
SiO2:45~5mol%,Al2O3:18~25mol%,MgO:18~25mol%,TiO2:4~8mol%,ZrO2:1.5~3.5mol%,La2O3:0.1~1.2mol%,CoO:0.1~1mol%。
一種含氧化鑭的摻鈷鎂鋁硅基納米微晶玻璃的制備方法,特點是該方法包括下列步驟:
①按基質玻璃組成的摩爾百分比計算出玻璃的重量百分比,然后稱取原料,混合均勻,形成混合料;
②將所述的混合料放入坩堝中,置于1550~1580℃的硅鉬棒電爐中進行熔化,熔化時間為2~8小時;
③退火:玻璃澆出后放入已升溫至玻璃轉變溫度的馬弗爐中,保溫3小時后,以5~10℃/小時的降溫速率降至200℃,再隨爐冷卻至室溫;
④將退火后的基質玻璃升溫至750~820℃,保溫8~16小時,然后繼續升溫至900~950℃,保溫2~8小時,獲得納米微晶玻璃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海光學精密機械研究所,未經中國科學院上海光學精密機械研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010530671.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:圖案化納米模板及其制備方法
- 下一篇:一種電池級無水碘化鋰的制備方法





