[發(fā)明專利]基板的處理方法、程序和計算機存儲介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010530496.5 | 申請日： | 2010-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN102103988A | 公開（公告）日： | 2011-06-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丹羽崇文;京田秀治;本武幸一 | 申請（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 處理 方法 程序 計算機 存儲 介質(zhì) | ||
1.一種基板的處理方法，用于在基板上形成抗蝕劑圖案，該基板的處理方法的特征在于，包括：
第一圖案化工序，在基板上涂敷抗蝕劑液形成第一抗蝕劑膜后，有選擇地將該第一抗蝕劑膜曝光、顯影從而形成第一抗蝕劑圖案；
表面改性工序，在所述第一圖案化工序之后，在所述第一抗蝕劑圖案的表面涂敷醚類表面改性劑，對該表面進(jìn)行改性；和
第二圖案化工序，在所述表面改性工序后，在形成有所述第一抗蝕劑圖案的基板上涂敷抗蝕劑液形成第二抗蝕劑膜，之后有選擇地將該第二抗蝕劑膜曝光、顯影從而在與所述第一抗蝕劑圖案相同的層形成第二抗蝕劑圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的基板的處理方法，其特征在于：
在所述表面改性工序中，利用所述表面改性劑除去所述第一抗蝕劑圖案的表層，并將新露出的所述第一抗蝕劑圖案的表面改性。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板的處理方法，其特征在于：
在所述第二圖案化工序中，所述第二抗蝕劑膜按照下述方式形成：在使基板靜止的狀態(tài)下向該基板的中心部供給抗蝕劑液后，使基板旋轉(zhuǎn)而使所述抗蝕劑液擴散到基板整個面上。
4.如權(quán)利要求1或2所述的基板的處理方法，其特征在于：
所述表面改性劑是甲基異丁基甲醇。
5.如權(quán)利要求1或2所述的基板的處理方法，其特征在于：
所述表面改性劑是丙二醇丁醚。
6.一種計算機存儲介質(zhì)，其特征在于：
存儲有權(quán)利要求1或2所述的程序，并為能夠讀取的計算機存儲介質(zhì)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
