[發明專利]集成電路結構有效
| 申請號: | 201010530411.3 | 申請日: | 2010-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN102064136A | 公開(公告)日: | 2011-05-18 |
| 發明(設計)人: | 蕭景文;莊曜群;陳承先;郭正錚;黃儒瑛 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/00 | 分類號: | H01L23/00;H01L23/498 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陳晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 結構 | ||
1.一種集成電路結構,包括:
一第一工作件,包括:
一銅凸塊,位于該第一工作件的主要表面上,且在一平行于第一工作件的主要表面的第一平面中具有一第一尺寸:及
一含鎳阻擋層,位于該銅凸塊上并與其鄰接;
一第二工作件,接合至該第一工作件上且包括:
一連接墊,位于該第二工作件的主要表面上;一阻焊層,位于該第二工作件的主要表面,且具有一第二尺寸的阻焊開口,暴露一部分的該連接墊,其中該第二尺寸是以平行于該第二工作件的主要表面的一第二表面所測量,且其中該第一尺寸對該第二尺寸的比例大于約1;以及
一焊接區,電性連接該銅凸塊及該連接墊,其中該連接墊及該銅凸塊之間的垂直距離大于約30μm。
2.根據權利要求1所述的集成電路結構,其中該第一工作件為一含集成電路結構的半導體芯片,該第二工作件為一封裝基材。
3.根據權利要求1所述的集成電路結構,其中該第一工作件為一封裝基材,該第二工作件為一含集成電路結構的半導體芯片。
4.根據權利要求1所述的集成電路結構,其中該第一尺寸對該第二尺寸的比例更大于約1.15。
5.根據權利要求1所述的集成電路結構,其中該連接墊及該銅凸塊之間的垂直距離更大于約40μm。
6.根據權利要求1所述的集成電路結構,更包含一含金層,位于該焊接區及該含鎳阻擋層之間。
7.一種集成電路結構,包括:
一半導體芯片,包括:
一半導體基材;
一銅凸塊,設置于該半導體基材的主要表面上,且具有一平行于該半導體基材的主要表面的第一水平尺寸;及
一含鎳阻擋層,位于該銅凸塊上;
一封裝基材,包括:
一連接墊,位于該封裝基材的主要表面;及
一阻焊層,位于該連接墊上并通過該阻焊層中的阻焊開口暴露該連接墊的一中央部分,其中該阻焊開口具有一平行于該第一水平尺寸的第二水平尺寸,且其中該第一水平尺寸對該第二水平尺寸的比例于大于約1;以及
一焊料區,通過該阻焊開口電性連接該含鎳阻擋層及該連接墊,其中該含鎳阻擋層及該連接墊相加的總厚度大于約30μm。
8.根據權利要求7所述的集成電路結構,其中該第一水平尺寸及該第二水平尺寸的比例更大于約1.15。
9.根據權利要求7所述的集成電路結構,其中該含鎳阻擋層及該連接墊相加的總厚度大于約40μm。
10.根據權利要求7所述的集成電路結構,更包含一含金層,介于該焊料區及含鎳阻擋層之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010530411.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:苯磺酸左旋氨氯地平組合物及其制備方法
- 下一篇:一種羅庫溴銨注射液的制備方法





