[發(fā)明專利]存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010530265.4
• 申請日: 2010-10-29
• 公開（公告）號: CN102054519A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 福田卓平
• 申請（專利權(quán)）人: 巴比祿股份有限公司
• 主分類號: G11B33/14
• 分類號: G11B33/14
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種存儲裝置，該存儲裝置包括緩沖構(gòu)件、用于形成容納室的殼體和容納在上述容納室內(nèi)的磁盤驅(qū)動器主體(12)，該緩沖構(gòu)件介于上述磁盤驅(qū)動器主體(12)和上述殼體的內(nèi)壁之間，通過承受應(yīng)力而發(fā)生變形來吸收沖擊應(yīng)力，其特征在于，

上述緩沖構(gòu)件包括配置在上述殼體(20)的內(nèi)壁側(cè)的第1層、配置在上述磁盤驅(qū)動器主體(12)側(cè)的第2層和配置在上述第1層和上述第2層之間的第3層；

上述緩沖構(gòu)件的各層材料將上述第3層的硬度設(shè)定得小于上述第1層和上述第2層的硬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，

根據(jù)作為硬度標(biāo)準(zhǔn)值的JIS標(biāo)準(zhǔn)的K6253，上述第1層和第2層的硬度為E40～E70，第3層的硬度為E1～E20。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲裝置，其特征在于，

在將上述第1層的厚度設(shè)為T1、將上述第2層的厚度設(shè)為T2、將上述第3層的厚度設(shè)為T3時，滿足T3≥T1、T3≥T2。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲裝置，其特征在于，

將上述第1層、第2層、第3層設(shè)定為T1∶T2＝1∶1～3、T1∶T3＝1∶1～5。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲裝置，其特征在于，

設(shè)定上述第1層、第2層以及第3層的硬度，以使上述緩沖構(gòu)件(30)的硬度滿足半值期間為2.0ms以上，該半值期間是加速度值的第1峰值和在第1峰值之后產(chǎn)生的第2峰值的過渡期間中的、加速度值為第1峰值的50％以下的值的期間，上述加速度值是在上述磁盤驅(qū)動器主體(12)上安裝加速度傳感器、在使該存儲裝置從規(guī)定高度落下時由上述加速度傳感器測定的檢測值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，

在將上述第1層的厚度設(shè)為T1、將上述第2層的厚度設(shè)為T2、將上述第3層的厚度設(shè)為T3時，滿足T3≥T1、T3≥T2。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲裝置，其特征在于，

將上述第1層、第2層、第3層設(shè)定為T1∶T2＝1∶1～3、T1∶T3＝1∶1～5。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲裝置，其特征在于，

設(shè)定上述第1層、第2層以及第3層的硬度，以使上述緩沖構(gòu)件(30)的硬度滿足半值期間為2.0ms以上，該半值期間是加速度值的第1峰值和在第1峰值之后產(chǎn)生的第2峰值的過渡期間中的、加速度值為第1峰值的50％以下的值的期間，上述加速度值是在上述磁盤驅(qū)動器主體(12)上安裝加速度傳感器、在使該存儲裝置從規(guī)定高度落下時由上述加速度傳感器測定的檢測值。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲裝置，其特征在于，

設(shè)定上述第1層、第2層以及第3層的硬度，以使上述緩沖構(gòu)件(30)的硬度滿足半值期間為2.0ms以上，該半值期間是加速度值的第1峰值和在第1峰值之后產(chǎn)生的第2峰值的過渡期間中的、加速度值為第1峰值的50％以下的值的期間，上述加速度值是在上述磁盤驅(qū)動器主體(12)上安裝加速度傳感器、在使該存儲裝置從規(guī)定高度落下時由上述加速度傳感器測定的檢測值。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，

設(shè)定上述第1層、第2層以及第3層的硬度，以使上述緩沖構(gòu)件(30)的硬度滿足半值期間為2.0ms以上，該半值期間是加速度值的第1峰值和在第1峰值之后產(chǎn)生的第2峰值的過渡期間中的、加速度值為第1峰值的50％以下的值的期間，上述加速度值是在上述磁盤驅(qū)動器主體(12)上安裝加速度傳感器、在使該存儲裝置從規(guī)定高度落下時由上述加速度傳感器測定的檢測值。