[發(fā)明專利]硅基SIS異質(zhì)結(jié)光電器件的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010529610.2
• 申請日: 2010-11-03
• 公開（公告）號: CN102034902A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發(fā)明（設計）人: 馬忠權(quán);何波;趙磊
• 申請（專利權(quán)）人: 上海大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 顧勇華

1.一種硅基SIS異質(zhì)結(jié)光電器件的制備方法，其特征在于該方法具有以下的步驟：

a.?選用p-型電導、晶向為（100）、電阻率為5.0?Ω·cm、厚度為200?μm的直拉硅單晶片為襯底；

????b.?經(jīng)標準RCA化學清洗；

????c.?將硅片在體積比為HF:H₂O=?1:10?溶液中浸泡7?分鐘，去除正面的磷硅玻璃及硅表面自然氧化層；

????d.?用真空蒸發(fā)在硅片背面鍍2微米厚的Al?金屬電極膜；

????e.?將硅片在400～500℃，流量比為N₂:O₂=4:1條件下熱氧化15～30分鐘生長一層15～20??超薄SiO₂層，背面Al合金化同時進行；

????f.?繼而直流磁控濺射AZO發(fā)射極、減反射、收集電極膜；

g.?通過金屬掩模板直流磁控濺射Cu柵指電極；

h.?用金剛石刀切去光電池邊緣部分，防止光電池邊緣短路效應，即得到半導體異質(zhì)結(jié)AZO/SiO₂/p-Si?結(jié)構(gòu)的SIS光電器件。