[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件以及增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010528647.3
• 申請日: 2010-10-26
• 公開（公告）號: CN102456769A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊昌祥;劉可萱
• 申請（專利權(quán)）人: 富陽光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B23K26/36;H01L31/042
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;張燕華

1.一種增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積的方法，其特征在于，包含以下步驟：

沉積第一導(dǎo)電層在基板上；

使用激光在第一導(dǎo)電層中刻劃出多個(gè)第一劃線，該多個(gè)第一劃線被刻劃至第一導(dǎo)電層的底面并露出部分基板，每一個(gè)第一劃線是由多個(gè)第一孔洞所組成，每一個(gè)第一孔洞是與相鄰第一孔洞部分重疊；

沉積至少一半導(dǎo)體材料層在第一導(dǎo)電層上以及該多個(gè)第一劃線中；

使用激光在半導(dǎo)體材料層中刻劃出多個(gè)第二劃線，該多個(gè)第二劃線被刻劃至半導(dǎo)體材料層的底面并露出部分第一導(dǎo)電層，每一個(gè)第二劃線是由多個(gè)第二孔洞所組成；

沉積第二導(dǎo)電層在半導(dǎo)體材料層上以及該多個(gè)第一劃線和該多個(gè)第二劃線中；以及

使用激光在第二導(dǎo)電層中刻劃出多個(gè)第三劃線，該多個(gè)第三劃線被刻劃至該半導(dǎo)體材料層的底面并露出部分第一導(dǎo)電層，每一個(gè)第三劃線是由多個(gè)第三孔洞所組成，每一個(gè)第三孔洞是與相鄰第三孔洞部分重疊；

其中第二孔洞經(jīng)縮小，以縮小第一劃線和鄰近的第二劃線之間的距離以及第三劃線和鄰近的第二劃線之間的距離，藉此增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積的方法，其特征在于，每一個(gè)第二孔洞是與相鄰第二孔洞部分重疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積的方法，其特征在于，每一個(gè)第二孔洞是與相鄰第二孔洞分隔一段距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積的方法，其特征在于，該每一個(gè)第二孔洞的中心點(diǎn)和相鄰第二孔洞的中心點(diǎn)的最短距離為至少20μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積的方法，其特征在于，第二孔洞的中心點(diǎn)至該孔洞的邊際界線的最短距離是小于20μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積的方法，其特征在于，第一孔洞的中心點(diǎn)至該孔洞的邊際界線的最短距離是5至20μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積的方法，其特征在于，第三孔洞的中心點(diǎn)至該孔洞的邊際界線的最短距離是15至40μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積的方法，其特征在于，第一劃線和鄰近的第二劃線之間的距離及/或第三劃線和鄰近的第二劃線之間的距離是小于80μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積的方法，其特征在于，藉由第二孔洞所形成的電路通道的導(dǎo)電度為至少50S，該電路通道讓第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層接觸。

10.一種半導(dǎo)體元件，其有效運(yùn)作面積增加，其特征在于，該半導(dǎo)體元件包含：

基板；

第一導(dǎo)電層，其形成在基板上且經(jīng)受激光刻劃，該激光刻劃且刻劃至第一導(dǎo)電層的底面并露出部分基板，以形成多個(gè)第一劃線，每一個(gè)第一劃線是由多個(gè)第一孔洞所組成，每一個(gè)第一孔洞是與相鄰第一孔洞部分重疊；

至少一半導(dǎo)體材料層，其形成在第一導(dǎo)電層上且經(jīng)受激光刻劃，該激光刻劃且刻劃至半導(dǎo)體材料層的底面并露出部分第一導(dǎo)電層，以形成多個(gè)第二劃線，每一個(gè)第二劃線是由多個(gè)第二孔洞所組成；以及

第二導(dǎo)電層，其形成在半導(dǎo)體材料層上經(jīng)受激光刻劃，該激光刻劃且刻劃至半導(dǎo)體材料層的底面并露出部分第一導(dǎo)電層，以形成多個(gè)第三劃線，每一個(gè)第三劃線是由多個(gè)第三孔洞所組成，每一個(gè)第三孔洞是與相鄰第三孔洞部分重疊，

其中第二孔洞經(jīng)縮小，以縮小第一劃線和鄰近的第二劃線之間的距離以及第三劃線和鄰近的第二劃線之間的距離，藉此增加半導(dǎo)體元件有效運(yùn)作面積。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，每一個(gè)第二孔洞是與相鄰第二孔洞部分重疊。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，每一個(gè)第二孔洞是與相鄰第二孔洞分隔一段距離。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，每一個(gè)第二孔洞的中心點(diǎn)和相鄰第二孔洞的中心點(diǎn)的最短距離為至少20μm。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，第二孔洞的中心點(diǎn)至該孔洞的邊際界線的最短距離是小于20μm。