[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010527329.5
• 申請日: 2010-10-19
• 公開（公告）號: CN102376535A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王釗文
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C16/44;C23C16/40;H01L29/92
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于包括：

于一基底上形成多個柱狀體；

利用非共形線狀原子層沉積法于該多個柱狀體的上表面及側(cè)壁上形成一連續(xù)的第一氧化層，該第一氧化層連續(xù)覆蓋該多個柱狀體且具有至少一第一開口；以及

移除部分該第一氧化層，以暴露出該多個柱狀體的上表面并于各該柱狀體的側(cè)壁上形成一第一支撐件，該第一支撐件位于對應(yīng)的該柱狀體的側(cè)壁的一第一高度上且圍繞該柱狀體的外圍，其特征在于圍繞于兩相鄰柱狀體的該多個第一支撐件互相連接，且圍繞于兩相對柱狀體的該多個第一支撐件互不接觸且之間具有一第二開口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于該第一氧化層的材料包括三氧化二鋁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于該柱狀體的材料包括多晶硅、鎢以及氮化鈦。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于各該柱狀體的高寬比介于10至60之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于該多個柱狀體的形成方法包括：

于該基底上形成一犧牲層；

于該犧牲層中形成多個第三開口；

于該多個第三開口中形成該多個柱狀體；以及

移除部分該犧牲層，使該犧牲層的高度小于該第一高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于還包括在移除部分該第一氧化層之前，經(jīng)由該第一開口移除剩余的該犧牲層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于還包括經(jīng)由該第二開口移除剩余的該犧牲層。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于該犧牲層的材料包括硅與氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于該多個柱狀體的形成方法包括化學(xué)氣相沈積法。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于各該柱狀體的形狀包括圓柱體。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于各該第一支撐件的形狀包括中空環(huán)狀。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于還包括：

利用非共形線狀原子層沉積法在該多個柱狀體的上表面及側(cè)壁上形成一連續(xù)的第二氧化層，該第二氧化層連續(xù)覆蓋該多個柱狀體且具有至少一第四開口；以及

移除部分該第二氧化層，以暴露出該多個柱狀體的上表面并于各該柱狀體的側(cè)壁上形成一第二支撐件，該第二支撐件位于各該柱狀體的側(cè)壁的一第二高度上且圍繞該柱狀體的外圍，其中圍繞于兩相鄰柱狀體的該多個第二支撐件互相連接，且圍繞于兩相對柱狀體的該多個第二支撐件互不接觸且之間具有一第五開口，以及該第二高度大于該第一高度。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于該第二氧化層的材料包括三氧化二鋁。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于各該第二支撐件的形狀包括中空環(huán)狀。

15.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于包括：

多個柱狀體，配置于一基底上；

多個第一支撐件，各該第一支撐件配置于各該柱狀體的側(cè)壁的一第一高度上且圍繞各該柱狀體的外圍，其中圍繞于兩相鄰柱狀體的該多個第一支撐件互相連接，且圍繞于兩相對柱狀體的該多個第一支撐件互不接觸；以及

多個第二支撐件，各該第二支撐件配置于各該柱狀體的側(cè)壁的一第二高度上且圍繞各該柱狀體的外圍，其中圍繞于兩相鄰柱狀體的該多個第二支撐件互相連接，圍繞于兩相對柱狀體的該多個第二支撐件互不接觸，且該第一高度不等于該第二高度。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于各該柱狀體的高寬比介于10至60之間。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該多個第一支撐件與該多個第二支撐件的材料包括三氧化二鋁。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該柱狀體的材料包括多晶硅、鎢以及氮化鈦。