[發明專利]光刻膠圖案的形成方法和陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201010525105.0
• 申請日: 2010-10-25
• 公開（公告）號: CN102455593A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 儲培鳴
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/38;H01L21/027;H01L21/77
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種光刻膠圖案的形成方法，其特征在于，包括：

在膜層上涂覆光刻膠，并采用掩模板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括保留區域和去除區域的光刻膠圖案；

對形成所述圖案的光刻膠進行加熱處理，以使得光刻膠流至待保護的膜層區域。

2.根據權利要求1所述的光刻膠圖案的形成方法，其特征在于，所述保留區域包括：完全保留區域和/或部分保留區域。

3.根據權利要求1或2所述的光刻膠圖案的形成方法，其特征在于，所述對形成所述圖案的光刻膠進行加熱處理，包括：

將所述光刻膠加熱到50至200攝氏度之間，使得所述光刻膠呈流體狀。

4.一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導電圖案和絕緣層的步驟，所述導電圖案包括柵電極、源電極、漏電極、半導體層和像素電極，其特征在于，在形成所述半導體層圖案的過程中，所述方法還包括：

對光刻膠進行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述半導體層包括重摻雜半導體層和本征半導體層，相應的，所述形成所述半導體層圖案包括：

采用單色調掩模板，通過構圖工藝刻蝕所述半導體層中的重摻雜半導體層和本征半導體層。

6.根據權利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成所述半導體層圖案過程中，對光刻膠進行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中，具體包括：

在刻蝕所述重摻雜半導體層之前，對光刻膠進行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中。

7.根據權利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述刻蝕所述半導體層中的本征半導體層之后，所述方法還包括：

剝離所述光刻膠，通過構圖工藝刻蝕所述溝道內剩余的重摻雜半導體層。

8.根據權利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成所述半導體層圖案過程中，對光刻膠進行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中，包括：

在刻蝕所述重摻雜半導體層之后，對光刻膠進行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中。

9.根據權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述刻蝕所述半導體層中的本征半導體層之后，所述方法還包括：

剝離所述光刻膠。

10.根據權利要求4至9中任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述對所述光刻膠進行熱處理，以使所述光刻膠流至所述溝道，具體包括：

將所述光刻膠加熱到50至200攝氏度之間，使得所述光刻膠呈流體狀，流入所述溝道。

11.根據權利要求4至9中任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述光刻膠的厚度在1微米至4微米之間。