[發明專利]半導體芯片和晶片堆疊封裝件的制造方法

有效

• 申請號: 201010525017.0
• 申請日: 2010-10-27
• 公開（公告）號: CN102074497A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發明（設計）人: 黃善寬;李仁榮;李鎬珍;張東鉉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/98;H01L23/535
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;王青芝

1.一種制造半導體芯片的方法，所述方法包括以下步驟：

在基底的前表面中形成第一通孔；

利用第一導電材料在第一通孔中形成第一導電塞，第一導電塞包括在基底中的第一部分和從基底突出的第二部分；

利用第二導電材料在第一導電塞的上表面上形成第二導電塞，第二導電塞的橫截面面積小于第一導電塞的橫截面面積；

對基底的后表面進行背部減薄；

在基底的經過背部減薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔與第一通孔對準。

2.如權利要求1所述的方法，其中，形成第一通孔的步驟包括：

在基底的前表面上形成第一光致抗蝕劑圖案，第一光致抗蝕劑圖案具有暴露基底的一部分的開口；

利用第一光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模通過激光打孔法或干蝕刻法去除基底的暴露部分。

3.如權利要求1所述的方法，其中，通過電鍍或非電鍍覆中的至少一種來形成第一導電塞。

4.如權利要求3所述的方法，其中，形成第一導電塞的步驟包括：

在包括第一通孔的基底的整個前表面上形成種子層，種子層包括銅、鎢、金和銀中的至少一種；

在包括種子層的基底的整個表面上涂覆光致抗蝕劑，并對光致抗蝕劑進行曝光和顯影，形成具有在第一通孔中的開口的第二光致抗蝕劑圖案；

利用種子層在基底上執行鍍覆第一導電材料的電鍍和非電鍍覆中的至少一種；

去除第二光致抗蝕劑圖案。

5.如權利要求1所述的方法，其中，通過電鍍和非電鍍覆中的至少一種利用第一導電塞作為種子層形成第二導電塞。

6.如權利要求5所述的方法，其中，形成第二導電塞的步驟包括：

在包括第一導電塞的基底的前表面上涂覆光致抗蝕劑，并對光致抗蝕劑進行曝光和顯影，形成具有比第一通孔的橫截面面積小的橫截面面積的開口的第三光致抗蝕劑圖案；

利用第一導電塞作為種子層在基底上執行鍍覆第二導電材料的電鍍和非電鍍覆中的至少一種；

去除第三光致抗蝕劑圖案。

7.如權利要求1所述的方法，其中，利用錫鉛合金通過焊接形成第二導電塞。

8.如權利要求1所述的方法，其中，第一導電塞和第二導電塞由不同的導電材料形成，

第一導電塞包括銅，第二導電塞包括從鋁、鎢、金、銀和錫鉛合金中選擇的一種。

9.如權利要求1所述的方法，其中，形成第二通孔的步驟包括：

在經過背部減薄的基底的后表面上涂覆光致抗蝕劑，并對光致抗蝕劑進行曝光和顯影，以形成具有暴露經過背部減薄的基底的一部分并與第一通孔對應的開口的第四光致抗蝕劑圖案；

利用第四光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模通過激光打孔法或干蝕刻法去除經過背部減薄的基底的暴露部分。

10.一種制造晶片堆疊封裝件的方法，所述方法包括以下步驟：

形成部分地暴露基底的前表面的第一光致抗蝕劑圖案，所述基底包括輸入/輸出焊盤；

利用第一光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模形成第一通孔；

去除第一光致抗蝕劑圖案；

在包括第一通孔的基底的整個表面上形成金屬種子層；

在包括金屬種子層的基底的前表面上涂覆光致抗蝕劑，并對光致抗蝕劑進行曝光和顯影，以形成具有在第一通孔中并暴露基底的一部分的開口的第二光致抗蝕劑圖案；

利用金屬種子層對基底執行電鍍和非電鍍覆中的至少一種，以形成第一導電塞，第一導電塞包括在第一通孔中的第一部分和從基底的前表面突出的第二部分；

去除第二光致抗蝕劑圖案；

在基底的前表面上涂覆光致抗蝕劑，并對光致抗蝕劑進行曝光和顯影，以形成具有比第一通孔的橫截面面積小的橫截面面積并暴露基底的一部分的開口的第三光致抗蝕劑圖案；

利用第一導電塞作為種子層執行電鍍和非電鍍覆中的至少一種，以在第一導電塞上形成第二導電塞，第二導電塞具有比第一導電塞的橫截面面積小的橫截面面積；

去除第三光致抗蝕劑圖案；

對基底的后表面進行背部減薄；

在經過背部減薄的基底的后表面上涂覆光致抗蝕劑，并對光致抗蝕劑進行曝光和顯影，以形成具有與第一通孔對應并暴露基底的一部分的開口的第四光致抗蝕劑圖案；

利用第四光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模在基底中形成第二通孔，第二通孔與第一通孔對準。