[發明專利]芯片集成式金屬納米線的表面等離子體激發方法無效
| 申請號： | 201010523965.0 | 申請日： | 2010-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN101986175A | 公開（公告）日： | 2011-03-16 |
| 發明（設計）人： | 童利民;馬哲;張奚寧;郭欣;楊青;馬耀光 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | G02B6/122 | 分類號： | G02B6/122;G02B6/10 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 集成 金屬 納米 表面 等離子體 激發 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種芯片集成式金屬納米線的表面等離子體激發方法，其特征在于，該方法為：將金屬納米線的一端放置于激光二極管芯片的出光面，在該端激發表面等離子體并使其在金屬納米線中傳輸。金屬納米線的另一端作為光信號的輸出端。
2.根據權利要求1所述的芯片集成式金屬納米線的表面等離子體激發方法，其特征在于，所述的金屬納米線直徑可以為50～1000nm。
3.根據權利要求1所述的芯片集成式金屬納米線的表面等離子體激發方法，其特征在于，所述的激光二極管芯片，為普通商用激光二極管，中心波長可以為400nm～2000nm。
4.根據權利要求1所述的芯片集成式金屬納米線的表面等離子體激發方法，其特征在于，該方法以激光二極管芯片的端面作為襯底。
5.根據權利要求1所述的芯片集成式金屬納米線的表面等離子體激發方法，其特征在于，所述的金屬納米線的輸出端光信號強度依賴于金屬納米線與激光二極管出光區的夾角。
6.根據權利要求1所述的芯片集成式金屬納米線的表面等離子體激發方法，其特征在于，所述的金屬納米線可以為單根或多根結構。
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