[發(fā)明專利]衍射光學(xué)元件以及使用衍射光學(xué)元件的攝像裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010522485.2 | 申請日: | 2006-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN101995594A | 公開(公告)日: | 2011-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 是永繼博;鈴木正明 | 申請(專利權(quán))人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | G02B3/08 | 分類號: | G02B3/08;G02B5/18 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 楊謙;胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 衍射 光學(xué) 元件 以及 使用 攝像 裝置 | ||
1.一種衍射光學(xué)元件,其特征在于,
包括:基材,由含有樹脂的第1材料構(gòu)成,并且包含形成為衍射光柵形狀的面;被覆膜,由含有樹脂及無機(jī)粒子的第2材料即復(fù)合材料構(gòu)成,并且與上述面的上述衍射光柵形狀部分接觸配置;以及防反射膜,配置在上述被覆膜的上述衍射光柵形狀側(cè)的相反面上,
上述第1材料是從聚碳酸酯類樹脂、聚苯乙烯類樹脂、芴類聚酯樹脂中選擇的至少一種;
根據(jù)下述數(shù)學(xué)式3得到的上述復(fù)合材料的折射率比上述第1材料的折射率大;
通過用下述數(shù)學(xué)式3計算出d線波長、F線波長、C線波長的折射率而求得的上述復(fù)合材料的阿貝數(shù),比上述第1材料的阿貝數(shù)大,其中,d線波長為587.6nm、F線波長為486.1nm、C線波長為656.3nm;
上述衍射光柵形狀的槽的深度為15μm以下,并且在波段400nm~700nm中的1級衍射效率為80%以上;
上述防反射膜由折射率比上述復(fù)合材料低的材料構(gòu)成;
數(shù)學(xué)式3:
其中,nav是復(fù)合材料的折射率,np是無機(jī)粒子的折射率,nm是復(fù)合材料所包含的樹脂的折射率,P是復(fù)合材料中所占的無機(jī)粒子的體積含有率。
2.如權(quán)利要求1所述的衍射光學(xué)元件,其特征在于,
從上述第1材料和上述第2材料中選擇的至少一種材料吸收紅外線區(qū)域的波長的光。
3.如權(quán)利要求1所述的衍射光學(xué)元件,其特征在于,
從上述第1材料和上述第2材料中選擇的至少一種材料吸收紫外線區(qū)域的波長的光。
4.如權(quán)利要求1所述的衍射光學(xué)元件,其特征在于,
上述無機(jī)粒子的平均粒徑在1nm以上且100nm以下的范圍。
5.如權(quán)利要求1所述的衍射光學(xué)元件,其特征在于,
上述防反射膜包含樹脂和無機(jī)粒子。
6.如權(quán)利要求5所述的衍射光學(xué)元件,其特征在于,
上述無機(jī)粒子由氧化硅構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求5所述的衍射光學(xué)元件,其特征在于,
上述無機(jī)粒子的平均粒徑在1nm以上且100nm以下的范圍。
8.如權(quán)利要求1所述的衍射光學(xué)元件,其特征在于,
上述第1材料和上述復(fù)合材料的d線波長下的折射率之差為0.03以上且0.13以下,阿貝數(shù)之差為8以上。
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