[發明專利]一種鎂銦固溶體及其制備方法有效
| 申請號: | 201010522419.5 | 申請日: | 2010-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN101967590A | 公開(公告)日: | 2011-02-09 |
| 發明(設計)人: | 王輝;鐘海長;歐陽柳章;曾美琴;朱敏 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | C22C23/00 | 分類號: | C22C23/00;C22C1/04 |
| 代理公司: | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人: | 裘暉 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 固溶體 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及儲氫材料,尤其涉及一種鎂銦固溶體及其制備方法。
背景技術
目前所研究開發的儲氫材料,普遍存在的問題是具有很高的熱力學穩定性,因而放氫溫度高;另一方面是,動力學性能差,特別是放氫動力學。這兩方面的缺點嚴重阻礙了儲氫材料的實際應用。
現有開發的儲氫材料中,鎂由于具有高的理論儲氫量,良好的循環性能,以及鎂資源豐富等優點,廣泛地吸引了人們的興趣,被認為是最有發展前途的儲氫材料之一。但鎂氫化物的形成焓高達-74.5kJ/mol?H2,通常情況下需要在300℃以上才能緩慢放氫。所以,對鎂這種儲氫材料的研究,最關鍵的一點就是降低其氫化物的熱力學穩定性。
在過去的研究中,為了提高鎂的動力學性能,采用了添加催化劑、與其它化合物復合和獲得納米晶結構等方法,并取得了良好的結果,特別對鎂的吸氫動力學有了顯著的改善。然而在熱力學去穩定方面,雖然有不少研究工作的開展,但效果依然不理想。有的研究者采用添加第二組元,使其在放氫過程中與鎂形成熱力學穩定的化合物,從而達到對鎂氫化物的去穩定作用,如添加Si元素,這種方法雖然降低了鎂氫化物的熱力學穩定性,但由于在脫氫過程中形成的Mg2Si過于穩定,導致該反應不可逆。因此,尋找一種方法既能達到對鎂氫化物去穩定作用,又能保持良好的循環性能是鎂儲氫材料發展的關鍵。
發明內容
本發明的目的在于克服上述現有技術的缺點和不足,提供一種鎂銦固溶體及其制備方法,使鎂的吸放氫反應路徑發生改變,從而達到減少鎂的吸放氫焓變、降低鎂氫化物熱力學上穩定性的效果,同時具有良好的可逆性,解決了現有技術中的不可逆或者可逆性差的問題。
本發明的目的通過下述方案實現:一種鎂銦固溶體,該鎂銦固溶體中鎂、銦的摩爾比為(100-x)∶x,其中0<x<12。
上述鎂銦固溶體的制備方法,包括以下步驟:
(1)把鎂粉和銦粉按照摩爾比(100-x)∶x,其中0<x<12的比例配制樣品A;
(2)將按照步驟(1)比例配制的樣品A,在球磨機上進行混粉,得到混合粉末B;
(3)把步驟(2)中,得到的混合粉末B壓制成形,得到生坯C,將生坯C在真空爐中通氬氣保護進行燒結處理;
(4)經步驟(3)燒結處理過的生坯C破碎后,再在氬氣氛下球磨得到鎂銦固溶體。
所述步驟(3)中壓制成形的壓力約50MPa~100MPa。
所述步驟(3)保護氣壓約1個大氣壓;燒結溫度約300℃~600℃;燒結時間約3小時~10小時。
上述球磨機可以是行星式球磨機,也可以是其他球磨機;上述步驟(1)中銦粉含量可以是≤10at%(摩爾比)。
本發明鎂銦固溶體,可作為制造電池的材料、氫氣的分離以及回收和凈化材料、制冷或采暖設備材料等。
本發明與現有技術相比,優點及效果在于:
a、本發明采用在鎂中添加適量的銦,并通過上述方法制備的鎂銦固溶體,利用固溶體在吸放氫反應中的相變調制鎂的氫化和脫氫反應焓,從而達到對鎂氫化物的去穩定作用。另一方面,第二組元銦的存在有利氫的解離和擴散,也提高了鎂的吸放氫動力學性能;
b、具體地說,本發明的方法所制得的鎂銦固溶體,在保持了鎂的晶體結構不發生改變情況下,使得鎂的單胞體積減小;在吸氫反應過程中,固溶體發生分解形成鎂氫化物和鎂銦化合物;而在脫氫時,又重新形成鎂銦固溶體,利用反應過程中的相變實現了對鎂吸放氫反應焓的調制。另外,由于第二組元的添加,容易通過球磨的方法獲得納米結構,這種納米結構的鎂具有明顯優于傳統粗晶鎂的吸放氫動力學行為;
c、步驟(3)中通氬氣保護,避免鎂的氧化,燒結溫度300~600℃使Mg-In之間發生擴散反應,避免銦由于比重大而導致偏析;
d、步驟(4)中采用氬氣氛下球磨,使制備的鎂銦固溶體成分均勻,且具有納米結構,有利于氫的擴散進行;
綜上所述,本發明保持了鎂的晶體結構不發生改變,繼承了鎂的優良儲氫性能;本發明可逆性好,解決了其它方法中的可逆性差的問題,固溶體吸放氫完全可逆;本發明制備工藝簡單,有效節約了經濟成本;本發明降低了放氫溫度的同時,也提高了脫氫反應速率。
附圖說明
圖1是本發明初始粉末(Mg,In)及樣品球磨40和50小時的XRD譜
圖2是本發明Mg、In固溶體吸放氫過程的相變,a吸氫前,b不完全吸氫,c完全吸氫,d脫氫后。
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