[發明專利]太陽能電池的制造方法

有效

• 申請號: 201010521172.5
• 申請日: 2010-10-22
• 公開（公告）號: CN102237439A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 李文欽;嚴文材;陳鼎元;余良勝;張玉函
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種太陽能電池的制造方法，包括下列步驟：

提供一基板；

利用濺鍍一第一靶材，在該基板上形成一第一薄膜；

在該基板上形成一第二薄膜，形成該第二薄膜包括在該第一薄膜上方濺鍍一第二靶材，其中該第二靶材包括硫或一硫化物；以及

利用施加能量至該基板，從該第一和第二薄膜形成硫屬化合物太陽能吸收物，其中該硫屬化合物太陽能吸收物包括第I族的至少一個元素和第VI族的至少二個元素。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池制造方法，其中該硫屬化合物太陽能吸收物還包括第III族的至少二元素。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，形成該第二薄膜還包括同時濺鍍該第一靶材和該第二靶材。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中該基板為一蘇打石灰玻璃基板，其中還包括將鉬涂布該基板。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中該第二靶材包括硫化銦、硫化銅、硫化鎵、硫化鋁、硫化錫、硫化鋅、硫化銀或硫化金。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中該第二靶材包括40％至90％原子百分比的硫。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中在一不含硫環境中進行施加能量的該步驟；或

其中施加能量的該步驟形成該硫屬化合物太陽能吸收物，其具有一硫化物濃度梯度。

8.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中該第一靶材包括：

一第一成分，擇自由銅、銀和金組成的族群；以及

一第二成分，擇自由鋁、鎵、銦、鋅、錫、硒、碲和包括上述一個或多個的化合物組成的族群。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中該第一靶材包括：

一第一成分，擇自由銅、銀和金組成的族群；

一第二成分，擇自由鋁、鎵、銦、鋅、錫和上述組合組成的族群；以及

一第三成分，擇自由硒、碲和包括上述一個或多個的化合物組成的族群。