[發明專利]生產底部金屬結晶化的低溫多晶硅薄膜晶體管的方法無效
| 申請號： | 201010521163.6 | 申請日： | 2010-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN102013400A | 公開（公告）日： | 2011-04-13 |
| 發明（設計）人： | 趙大庸;柳濟宣 | 申請（專利權）人： | 四川虹視顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都虹橋專利事務所 51124 | 代理人： | 柯海軍;武森濤 |
| 地址： | 611731 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生產 底部 金屬 結晶 低溫 多晶 薄膜晶體管 方法 | ||
【權利要求書】：
1.生產底部金屬結晶化的低溫多晶硅薄膜晶體管的方法，包括用等離子體增強化學氣相沉積或化學氣相沉積非晶硅薄膜層步驟，還包括用Ni原子單位蒸鍍或濺射蒸鍍Ni金屬層步驟，其特征在于：先用Ni原子單位蒸鍍或濺射蒸鍍Ni金屬層，然后再用等離子體增強化學氣相沉積或化學氣相沉積非晶硅薄膜層。
2.根據權利要求1所述的生產底部金屬結晶化的低溫多晶硅薄膜晶體管的方法，其特征在于：用Ni原子單位蒸鍍或濺射蒸鍍≤且不為的Ni金屬層。
3.根據權利要求1或2所述的生產底部金屬結晶化的低溫多晶硅薄膜晶體管的方法，其特征在于：用ALD設備的Ni原子單位蒸鍍或濺射蒸鍍Ni金屬層。
4.根據權利要求1所述的生產底部金屬結晶化的低溫多晶硅薄膜晶體管的方法，其特征在于：用等離子體增強化學氣相沉積或化學氣相沉積600～的非晶硅薄膜層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
