[發明專利]一種高阻硅的電阻率測試方法無效
| 申請號： | 201010520562.0 | 申請日： | 2010-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN102012461A | 公開（公告）日： | 2011-04-13 |
| 發明（設計）人： | 黎亞文;楊旭 | 申請（專利權）人： | 峨嵋半導體材料研究所 |
| 主分類號： | G01R27/14 | 分類號： | G01R27/14 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214 | 代理人： | 徐宏;吳彥峰 |
| 地址： | 614200*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高阻硅 電阻率 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高阻硅的電阻率測試方法，其特征在于，包含以下步驟：
(1)將數控恒流源與直排四探針中的探針1和探針4相連接，測試設備與所述直排四探針中的探針2和探針3相連接；
(2)將所述數控恒流源開機預熱30分鐘；
(3)處理待測硅晶體的表面：噴砂去除所述待測硅晶體表面的玷污和表面氧化層，再用酒精將所述待測硅晶體擦凈；
(4)在無光照的環境中，調節室溫和相對濕度，并且將經處理的所述待測硅晶體放置于測試臺上；
(5)調整所述直排四探針的高度使其與所述待測硅晶體相壓合，此時所述數控恒流源通過所述探針1和所述探針4向所述待測硅晶體輸出測試電流，其中所述測試電流的數值與所述直排四探針的探針系數相等；
(6)向所述測試設備中輸入所述待測硅晶體的類型、厚度、室溫以及相對濕度，經所述測試設備分析后開始測試；
(7)待測試完成后，所述測試設備將所有測試點的數據以電子表格的形式輸出。
2.如權利要求1所述的高阻硅的電阻率測試方法，其特征在于，步驟(6)中所述室溫在21～25℃之間，所述相對濕度≤65%。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于峨嵋半導體材料研究所，未經峨嵋半導體材料研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010520562.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種能自動判斷進球的足球門
- 下一篇：螺旋式做球支架
