[發(fā)明專利]一種高阻硅的電阻率測(cè)試方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010520562.0
• 申請(qǐng)日: 2010-10-27
• 公開（公告）號(hào): CN102012461A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎亞文;楊旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 峨嵋半導(dǎo)體材料研究所
• 主分類號(hào): G01R27/14
• 分類號(hào): G01R27/14
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 徐宏;吳彥峰

1.一種高阻硅的電阻率測(cè)試方法，其特征在于，包含以下步驟：

(1)將數(shù)控恒流源與直排四探針中的探針1和探針4相連接，測(cè)試設(shè)備與所述直排四探針中的探針2和探針3相連接；

(2)將所述數(shù)控恒流源開機(jī)預(yù)熱30分鐘；

(3)處理待測(cè)硅晶體的表面：噴砂去除所述待測(cè)硅晶體表面的玷污和表面氧化層，再用酒精將所述待測(cè)硅晶體擦凈；

(4)在無光照的環(huán)境中，調(diào)節(jié)室溫和相對(duì)濕度，并且將經(jīng)處理的所述待測(cè)硅晶體放置于測(cè)試臺(tái)上；

(5)調(diào)整所述直排四探針的高度使其與所述待測(cè)硅晶體相壓合，此時(shí)所述數(shù)控恒流源通過所述探針1和所述探針4向所述待測(cè)硅晶體輸出測(cè)試電流，其中所述測(cè)試電流的數(shù)值與所述直排四探針的探針系數(shù)相等；

(6)向所述測(cè)試設(shè)備中輸入所述待測(cè)硅晶體的類型、厚度、室溫以及相對(duì)濕度，經(jīng)所述測(cè)試設(shè)備分析后開始測(cè)試；

(7)待測(cè)試完成后，所述測(cè)試設(shè)備將所有測(cè)試點(diǎn)的數(shù)據(jù)以電子表格的形式輸出。

2.如權(quán)利要求1所述的高阻硅的電阻率測(cè)試方法，其特征在于，步驟(6)中所述室溫在21～25℃之間，所述相對(duì)濕度≤65%。