[發明專利]親水性碳納米管膜的制備方法有效
| 申請號: | 201010520058.0 | 申請日: | 2010-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN102452646A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發明(設計)人: | 陶志敏;范立;趙文美 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | C01B31/02 | 分類號: | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 親水性 納米 制備 方法 | ||
1.一種親水性碳納米管膜的制備方法,其包括以下步驟:
提供一氧化性酸性溶液,將該氧化性酸性溶液放置于一反應室中;
提供至少一碳納米管初級膜;
將該碳納米管初級膜設置于所述反應室中,并使所述碳納米管初級膜與所述氧化性酸性溶液間隔設置;以及
加熱所述氧化性酸性溶液揮發,使揮發后的氣態氧化性酸性溶液與所述碳納米管初級膜的碳納米管產生反應。
2.如權利要求1所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,所述反應室為一密閉反應室,加熱反應室至氧化性酸性溶液揮發后,停止加熱,保溫3小時至8小時。
3.如權利要求2所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,所述反應室為一反應釜。
4.如權利要求1所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,所述至少一碳納米管初級膜通過一支撐結構懸空設置于反應室中。
5.如權利要求1所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,所述至少一碳納米管初級膜設置于反應室內壁上。
6.如權利要求1所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,所述氧化性酸性溶液設置于一容器中,該容器設置于所述反應室中,所述容器包括一開口。
7.如權利要求6所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,所述碳納米管初級膜懸空設置于該容器的開口,并被容器的側壁支撐。
8.如權利要求1所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,所述氧化性酸性溶液直接設置于反應室中。
9.如權利要求1所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,進一步包括一清洗該親水性碳納米管膜的步驟,該步驟包括以下過程:首先,提供一基底;其次,將該親水性碳納米管膜鋪設于基底表面;再次,采用一溶劑以緩慢的流速沖洗該親水性碳納米管膜。
10.如權利要求9所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,進一步包括一將該親水性碳納米管膜反轉后,再次采用溶劑以緩慢的流速沖洗該親水性碳納米管膜的步驟。
11.如權利要求1所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,進一步包括一清洗該親水性碳納米管膜的步驟,該步驟包括以下過程:首先,提供一框架;其次,將該親水性碳納米管膜鋪設于框架表面;再次,重復將該親水性碳納米管結構和框架垂直放入水中,再將碳納米管結構和框架垂直從水中取出。
12.如權利要求1所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,所述至少一碳納米管初級膜包括多個碳納米管初級膜,所述多個碳納米管初級膜層疊設置。
13.如權利要求12所述的親水性碳納米管膜的制備方法,其特征在于,所述多個碳納米管初級膜通過多個支撐結構懸空設置于反應室的不同位置。
14.一種親水性碳納米管膜的制備方法,其包括以下步驟:
提供至少一自支撐的碳納米管初級膜;
提供一氣態氧化性酸性物質;
采用氣態氧化性酸性溶液處理所述碳納米管初級膜并與所述碳納米管初級膜中的碳納米管產生反應,在碳納米管表面形成親水性官能團,從而得到親水性碳納米管膜。
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