[發明專利]一種制作多晶硅絨面的方法及腐蝕液無效
| 申請號： | 201010519969.1 | 申請日： | 2010-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN102181936A | 公開（公告）日： | 2011-09-14 |
| 發明（設計）人： | 李建飛;汪琴霞;黃鎮;郭建東;樊選東 | 申請（專利權）人： | 江陰浚鑫科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李玉秋;馮瓊 |
| 地址： | 214443 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制作 多晶 硅絨面 方法 腐蝕 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于制作多晶硅絨面的腐蝕液，包括以下濃度的成分：
HF????????2摩爾/升～5摩爾/升；
HNO3??????5摩爾/升～15摩爾/升；
亞硝酸鹽??0.2摩爾/升～1摩爾/升；
H2SiF6????0.1摩爾/升～0.5摩爾/升；
余量水。
2.根據權利要求1所述的腐蝕液，其特征在于，包括：
HF???????3摩爾/升～4摩爾/升。
3.根據權利要求1所述的腐蝕液，其特征在于，包括：
HNO3?????6摩爾/升～10摩爾/升。
4.根據權利要求1所述的腐蝕液，其特征在于，包括：
亞硝酸鹽?????0.3摩爾/升～0.5摩爾/升。
5.根據權利要求1所述的腐蝕液，其特征在于，包括：
H2SiF6???????0.15摩爾/升～0.3摩爾/升。
6.一種制作太陽能多晶硅絨面的方法，其特征在于，包括：
將多晶硅在權利要求1至5任一項所述的腐蝕液中進行腐蝕，腐蝕溫度為6℃～25℃，腐蝕時間為4分鐘～8分鐘。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述腐蝕溫度為7℃～15℃。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述腐蝕溫度為8℃～10℃。
9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述腐蝕時間為5分鐘～6分鐘。
10.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在將所述多晶硅在腐蝕液中進行腐蝕之前還包括：
用超聲波清洗多晶硅。
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