[發(fā)明專利]用于靜電放電保護(hù)的器件和系統(tǒng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010517430.2 | 申請日： | 2010-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN102082183A | 公開（公告）日： | 2011-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 施子濤;程玉華 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海北京大學(xué)微電子研究院 |
| 主分類號： | H01L29/87 | 分類號： | H01L29/87;H01L27/02;H02H9/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 靜電 放電 保護(hù) 器件 系統(tǒng) | ||
1.一種用于集成電路ESD保護(hù)的可控硅器件結(jié)構(gòu)，包括由絕緣層隔開的兩個P阱，每個P阱中各有一個NMOS器件，其特征在于，具有雙向開啟端。
2.如權(quán)利要求1所述的可控硅器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件襯底為P型。
3.如權(quán)利要求1或2所述的可控硅器件，其特征在于，所述器件具有由深N阱以及兩邊的N阱和在N阱上方的絕緣層共同建立的隔絕層。
4.如權(quán)利要求3所述的可控硅器件，其特征在于，P阱內(nèi)部N+源區(qū)和N阱上方N+中間的柵極一起構(gòu)成內(nèi)建的NMOS器件。
5.如權(quán)利要求4所述的可控硅器件，其特征在于，在每個P阱中，N+源區(qū)和P+源區(qū)有共同的導(dǎo)線引出為開啟端。
6.一種用于集成電路全芯片的ESD保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，包含4個權(quán)利要求1中所述可控硅器件。
7.如權(quán)利要求6所述的ESD保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，其中第一個可控硅器件連接于輸入端與接地端之間，第二個可控硅器件連接于輸出端與接地端之間，第三個可控硅器件連接于輸入端與電源電壓端之間，第四個可控硅器件連接于輸出端與電源電壓端之間。
8.如權(quán)利要求7所述的ESD保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述4個可控硅器件與被保護(hù)電路模塊共用接地端。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
