[發明專利]適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法及貼膜裝置有效
| 申請號: | 201010517200.6 | 申請日: | 2010-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN102082078A | 公開(公告)日: | 2011-06-01 |
| 發明(設計)人: | 張明星;周曙國 | 申請(專利權)人: | 上海技美電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/00;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海脫穎律師事務所 31259 | 代理人: | 李強 |
| 地址: | 201108 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 適于 超薄 晶圓貼膜 方法 裝置 | ||
1.適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,在貼膜時,提供一壓力將晶圓推向薄膜,使薄膜與晶圓粘貼在一起。
2.根據權利要求1所述的適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,固定晶圓的邊緣,對晶圓施加壓力,使晶圓中心區域首先與薄膜接觸,再解除固定晶圓的邊緣的力,使整個晶圓與薄膜粘貼在一起。
3.根據權利要求1所述的適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,利用壓力將晶圓推向薄膜是通過使晶圓背向薄膜一側的氣體壓力大于晶圓與薄膜之間的氣體壓力實現。
4.根據權利要求3所述的適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,提供一具有第二凹槽的臺盤;將晶圓放置在臺盤上,使所述的第二凹槽形成第二密封腔;將薄膜放置在晶圓上方,并在晶圓與薄膜之間形成第一密封腔;利用壓力將晶圓推向薄膜是通過使第二密封腔內的氣體壓力大于第一密封腔內的氣體壓力實現。
5.根據權利要求4所述的適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,晶圓放置到臺盤上后,將晶圓的邊緣固定在臺盤上。
6.根據權利要求5所述的適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,采用真空吸附方式將晶圓邊緣固定在臺盤上。
7.根據權利要求5或6所述的適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,第二密封腔內的氣體壓力使晶圓拱起,從而使晶圓中部先與薄膜接觸,解除對薄膜邊緣的固定力,第二密封腔內的氣體壓力將整個晶圓推向薄膜,使整個晶圓與薄膜粘貼在一起。
8.根據權利要求4所述的適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,使晶圓背向薄膜一側的氣體壓力大于晶圓與薄膜之間的氣體壓力之前,移動晶圓使其與薄膜具有合適的距離。
9.根據權利要求4所述的適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,在薄膜上方,形成第三密封腔,第三密封腔內的氣體壓力可調。
10.根據權利要求3所述的適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,在晶圓與薄膜粘貼過程中,調整薄膜背向晶圓一側的氣體壓力,使薄膜背向晶圓一側的氣體壓力抵消一部分晶圓對薄膜的壓力。
11.根據權利要求3所述的適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,所述壓力是通過調整晶圓背向薄膜一側的真空度和晶圓與薄膜之間的真空度,使晶圓背向薄膜一側的真空度小于晶圓與薄膜之間的真空度來實現。
12.根據權利要求3所述的適于為超薄晶圓貼膜的貼膜方法,其特征在于,所述壓力是通過向晶圓背向薄膜的一側吹入壓縮氣體,使晶圓背向薄膜一側的氣體壓力大于晶圓與薄膜之間的氣體壓力來實現。
13.貼膜裝置,其特征在于,包括基座,所述基座設置第一凹槽;第一凹槽內設置有臺盤,第一凹槽與可調節第一凹槽內的氣體壓力的第一調節裝置聯通;所述臺盤設置有第二凹槽;第二凹槽與可調節第二凹槽內的氣體壓力的第二調節裝置聯通。
14.根據權利要求13所述的貼膜裝置,其特征在于,所述的臺盤與升降裝置連接,臺盤可移動地安裝在第一凹槽內。
15.根據權利要求13所述的貼膜裝置,其特征在于,還包括上蓋,上蓋可蓋在基座上并可打開地安裝。
16.根據權利要求15所述的貼膜裝置,其特征在于,上蓋可移動地設置在基座上方;上蓋可遠離基座、也可靠近基座直至蓋在基座上。
17.根據權利要求15所述的貼膜裝置,其特征在于,還包括可將基座與上蓋之間密封的第一密封圈,第一密封圈設置在基座上或上蓋上。
18.根據權利要求15所述的貼膜裝置,其特征在于,所述的上蓋設置有第一氣孔,第一氣孔與第一凹槽聯通;第一氣孔與第一調節裝置聯通。
19.根據權利要求18所述的貼膜裝置,其特征在于,所述的基座的內壁設置有第三凹槽,第三凹槽與第一凹槽聯通;當上蓋蓋在基座上時,第三凹槽與第一氣孔位置相對,第一調節裝置通過第一氣孔、第三凹槽與第一凹槽聯通;所述的上蓋設置有第二密封圈,當上蓋蓋在基座上時,第一氣孔位于第一密封圈與第二密封圈之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海技美電子科技有限公司,未經上海技美電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010517200.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





