[發明專利]高線性、高注入效率CTIA單元電路無效
| 申請號: | 201010515730.7 | 申請日: | 2010-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN102457232A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發明(設計)人: | 宋以丹 | 申請(專利權)人: | 宋以丹 |
| 主分類號: | H03F1/06 | 分類號: | H03F1/06;H03F1/32;H03F1/26;G01J5/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 110168 遼寧省*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 線性 注入 效率 ctia 單元 電路 | ||
1.高線性、高注入效率CTIA單元電路,包括探測器電容、積分電容、積分復位管采樣保持管,其特征在于M1、M2對管做輸入管,M3、M4、M6和M7管構成共源共柵電流鏡負載,C1為探測器電容,Cint為積分電容,Iint為積分電流,Mrst為復位積分管,Msh1、Msh2和負載電容構成相關雙采樣結構。
2.根據權利要求1所述高線性、高注入效率CTIA單元電路,其特征在于M1、M3、M6串聯,M2、M4、M7串聯,兩個串聯電路并聯,M5一端接VDD,另一端接并聯電路,并聯電路另一端接地,M2一端連接積分電容。
3.根據權利要求1所述高線性、高注入效率CTIA單元電路,其特征在于改進型CTIA單元電路可以穩定探測器偏壓,M7管漏端電壓不受M4管漏端電壓變化的影響,提高了輸出信號線性度。
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