[發明專利]一種低壓軌至軌運算放大電路無效

申請號：	201010514095.0	申請日：	2010-10-19
公開（公告）號：	CN101958692A	公開（公告）日：	2011-01-26
發明（設計）人：	黃海云;應智花	申請（專利權）人：	杭州電子科技大學
主分類號：	H03F3/45	分類號：	H03F3/45
代理公司：	杭州求是專利事務所有限公司 33200	代理人：	杜軍
地址：	310018 浙***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種低壓軌至軌運算放大電路
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【權利要求書】：

1.一種低壓軌至軌運算放大電路，包括三個電阻、三個電容、19個P型MOS管和17個N型MOS管，其特征是：

第一P型MOS管P₁的漏極與偏置電阻R₁的一端連接，第一N型MOS管N₁的源極和柵極以及第四N型MOS管N₄的柵極與第二P型MOS管P₂的漏極連接，第三P型MOS管P₃的柵極和漏極與分壓電阻R₂的一端連接；第四P型MOS管P₄的漏極和柵極以及第五P型MOS管P₅的柵極與第三P型MOS管P₃的源極連接，第四N型MOS管N₄的源極、第五N型MOS管N₅的漏極和第六N型MOS管N₆的漏極與分壓電阻R₂的另一端連接；第三N型MOS管N₃的柵極和源極、第二N型MOS管N₂的柵極、第五N型MOS管N₅的柵極和第六P型MOS管P₆的源極連接，第五P型MOS管P₅的漏極、第六P型MOS管P₆的漏極、第六N型MOS管N₆的柵極和第七P型MOS管P₇的源極連接，第六P型MOS管P₆的柵極與差分信號輸入端的負端Vin-連接，第七P型MOS管P₇的柵極與差分信號輸入端的正端Vin+連接；第二N型MOS管N₂的源極、第六N型MOS管N₆的源極、第九P型MOS管P₉的源極和第十一P型MOS管P₁₁的漏極連接；第八P型MOS管P₈的源極、第十P型MOS管P₁₀的漏極、第五N型MOS管N₅的源極和第八N型MOS管N₈的源極連接；第七N型MOS管N₇的柵極和源極以及第八N型MOS管N₈的柵極與第七P型MOS管P₇的漏極連接，第九N型MOS管N₉的柵極和源極以及第十N型MOS管N₁₀的柵極與第八P型MOS管P₈的漏極連接；第十N型MOS管N₁₀的源極、第十一N型MOS管N₁₁的珊極、第九P型MOS管P₉的漏極和第十二P型MOS管P₁₂的漏極與第二濾波電容C₂的一端連接，第十三N型MOS管N₁₃的源極、第十四N型MOS管N₁₄的源極、十六P型MOS管P₁₆的漏極、十七P型MOS管P₁₇的漏極以及負載電容C₃的一端和負載電阻R₃的一端與第二濾波電容C₂的另一端連接，負載電容C₃的另一端和負載電阻R₃的另一端接地；第十一N型MOS管N₁₁的源極、第十三P型MOS管P₁₃的漏極、第十四P型MOS管P₁₄的珊極和第十八P型MOS管P₁₈的珊極與第一濾波電容C₁的一端連接，第一濾波電容C₁的另一端與第十二P型MOS管P₁₂的源極連接；第十五P型MOS管P₁₅的漏極和柵極、第十四P型MOS管P₁₄的漏極、第十六P型MOS管P₁₆的柵極、第十二N型MOS管N₁₂的源極和第十三N型MOS管N₁₃的珊極連接；第十五N型MOS管N₁₅的源極和柵極、第十四N型MOS管N₁₄的柵極、第十六N型MOS管N₁₆的源極、第十七P型MOS管P₁₇的珊極和第十八P型MOS管P₁₈的漏極連接，第十六N型MOS管N₁₆的珊極和第十七N型MOS管N₁₇的珊極與第十二N型MOS管N₁₂的珊極連接，第十七N型MOS管N₁₇的源極與十九P型MOS管P₁₉的漏極連接；

第一P型MOS管P₁的柵極、第二P型MOS管P₂的柵極、第十P型MOS管P₁₀的柵極、第十一P型MOS管P₁₁的柵極、第十三P型MOS管P₁₃的柵極和第十九P型MOS管P₁₉的柵極連接；第一P型MOS管P₁的源極、第二P型MOS管P₂的源極、第四P型MOS管P₄的源極、第五P型MOS管P₅的源極、第十P型MOS管P₁₀的源極、第十一P型MOS管P₁₁的源極、第十三P型MOS管P₁₃的源極、第十四P型MOS管P₁₄的源極、第十五P型MOS管P₁₅的源極、第十六P型MOS管P₁₆的源極、第十七P型MOS管P₁₇的源極、第十八P型MOS管P₁₈的源極、第十九P型MOS管P₁₉的源極和第十二P型MOS管P₁₂的襯底接地；

第一N型MOS管N₁的漏極、第二N型MOS管N₂的漏極、第三N型MOS管N₃的漏極、第四N型MOS管N₄的漏極、第七N型MOS管N₇的漏極、第八N型MOS管N₈的漏極、第九N型MOS管N₉的漏極、第十N型MOS管N₁₀的漏極、第十一N型MOS管N₁₁的漏極、第十二N型MOS管N₁₂的漏極、第十三N型MOS管N₁₃的漏極、第十四N型MOS管N₁₄的漏極、第十五N型MOS管N₁₅的漏極、第十六N型MOS管N₁₆的漏極、第十七N型MOS管N₁₇的漏極、第五N型MOS管N₅的襯底、第六N型MOS管N₆的襯底、第八P型MOS管P₈的珊極、第九P型MOS管P₉的珊極、第十二P型MOS管P₁₂的珊極以及偏置電阻R₁的另一端均與1.5V電源VDD連接。