[發明專利]高分子/無機納米復合分離膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201010513961.4 | 申請日： | 2010-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN101983758A | 公開（公告）日： | 2011-03-09 |
| 發明（設計）人： | 靳健;張文彬;王棟 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | B01D71/08 | 分類號： | B01D71/08;B01D69/12;B01D67/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高分子 無機 納米 復合 分離 及其 制備 方法 | ||
1.一種高分子/無機納米復合分離膜，其特征在于，所述復合分離膜包括高分子材料固態基體以及按一定取向均勻分散于所述基體中的導電納米材料。
2.如權利要求1所述的高分子/無機納米復合分離膜，其特征在于，所述高分子材料至少為聚酰胺酰亞胺、聚偏氟乙烯和聚醚砜中的任意一種或兩種以上的組合；所述導電納米材料為可按一定取向排列的一維納米材料、二維納米材料和三維納米材料中的任意一種或兩種以上的組合。
3.如權利要求2所述的高分子/無機納米復合分離膜，其特征在于，所述一維納米材料至少為導電納米管和/或納米線；所述二維納米材料至少為納米金屬片層材料和/或納米半導體片層材料。
4.如權利要求1或2所述的高分子/無機納米復合，其特征在于，所述導電納米材料為氧化石墨烯或碳納米管。
5.一種高分子/無機納米復合分離膜的制備方法，其特征在于，該方法為：
將可按一定取向排列的導電納米材料均勻分散于可成膜的高分子材料溶液中后，將所得混合溶液成膜，并在成膜過程中施加電場，令導電納米材料在膜中沿電場方向取向，制成高分子/無機納米復合分離膜。
6.根據權利要求5所述的高分子/無機納米復合分離膜的制備方法，其特征在于，所述電場方向與膜平面成0～180°的夾角。
7.根據權利要求5所述的高分子/無機納米復合分離膜的制備方法，其特征在于，該方法還包括如下步驟：將制得的高分子/無機納米復合分離膜進行烘干處理。
8.根據權利要求6所述的高分子/無機納米復合分離膜的制備方法，其特征在于，所述高分子材料至少為聚酰胺酰亞胺、聚偏氟乙烯和聚醚砜中的任意一種或兩種以上的組合；所述導電納米材料為可按一定取向排列的一維納米材料、二維納米材料和三維納米材料中的任意一種或兩種以上的組合。
9.根據權利要求6所述的高分子/無機納米復合分離膜的制備方法，其特征在于，所述導電納米材料為氧化石墨烯或碳納米管。
10.根據權利要求6所述的高分子/無機納米復合分離膜的制備方法，其特征在于，該方法包括如下具體步驟：
將二維導電納米材料以單片或單層的形式均勻分散在有機溶劑中形成溶?液，并在該溶液中溶入高分子材料，得到混合溶液；
將上述混合溶液采用甩膜法、注膜法和刮膜法中的任意一種制備成膜，同時在成膜過程中施加電場，使二維導電納米材料在膜中沿電場方向取向，制得高分子/無機納米復合分離膜；
將制得的高分子/無機納米復合分離膜置于溫度為150℃的烘箱中1h以上，至高分子/無機納米復合分離膜被烘干；
所述二維導電納米材料采用由真空沉積或化學氧化剝離法制備的單層石墨烯，所述有機溶劑采用N-甲基吡咯烷酮。?
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