[發明專利]銦錫氧化物薄膜的回收方法以及基板的回收方法

有效

• 申請號: 201010513266.8
• 申請日: 2010-10-12
• 公開（公告）號: CN102031375A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 鄭鈞文;陳豊涵;賴英杰
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: C22B7/00
• 分類號: C22B7/00;C22B58/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種銦錫氧化物薄膜的回收方法，其特征在于，包括：

提供一待回收物，該待回收物具有一銦錫氧化物薄膜；

使一堿液與該銦錫氧化物薄膜接觸，以使該銦錫氧化物薄膜自該待回收物剝離并混合于該堿液中，其中該堿液的成分包括氫氧化鉀及/或氫氧化鈉；以及

收集剝離的該銦錫氧化物薄膜與該堿液的混合物，并自該銦錫氧化物薄膜與該堿液的混合物中過濾而取得含銦的粉末。

2.根據權利要求1所述的銦錫氧化物薄膜的回收方法，其特征在于，該待回收物為一彩色濾光基板，該銦錫氧化物薄膜為該彩色濾光基板上的一共通電極。

3.根據權利要求1所述的銦錫氧化物薄膜的回收方法，其特征在于，該待回收物為一主動元件陣列基板，該銦錫氧化物薄膜為該主動元件陣列基板上的多個像素電極。

4.根據權利要求1所述的銦錫氧化物薄膜的回收方法，其特征在于，該堿液的成分包括氫氧化鉀水溶液、醚醇類溶劑、醇胺類溶劑、醇類溶劑以及接口活性劑。

5.根據權利要求1所述的銦錫氧化物薄膜的回收方法，其特征在于，該堿液的溫度介于20℃至75℃之間。

6.根據權利要求1所述的銦錫氧化物薄膜的回收方法，其特征在于，該堿液與該銦錫氧化物薄膜接觸的時間介于20秒至300秒之間。

7.根據權利要求1所述的銦錫氧化物薄膜的回收方法，其特征在于，在該堿液與該銦錫氧化物薄膜接觸之后，更包括使一酸液與該銦錫氧化物薄膜接觸，以自該待回收物上移除殘留的該銦錫氧化物薄膜。

8.根據權利要求7所述的銦錫氧化物薄膜的回收方法，其特征在于，殘留的該銦錫氧化物薄膜與該酸液反應并溶解于該酸液中。

9.根據權利要求7所述的銦錫氧化物薄膜的回收方法，其特征在于，該酸液的成分包括鹽鐵系溶液、王水或是硝酸系溶液。

10.一種基板的回收方法，其特征在于，包括：

提供一元件基板，該元件基板包括一基板、多個元件薄膜以及一銦錫氧化物薄膜，該銦錫氧化物薄膜覆蓋于該基板與該些元件薄膜上；

使一堿液與該銦錫氧化物薄膜接觸，以使該銦錫氧化物薄膜自該些元件薄膜剝離并混合于該堿液中，其中該堿液的成分包括氫氧化鉀及/或氫氧化鈉；

使一酸液與該銦錫氧化物薄膜接觸，以自該基板上移除殘留的該銦錫氧化物薄膜；以及

使用該堿液移除該些元件薄膜。

11.根據權利要求10所述的基板的回收方法，其特征在于，該堿液的成分包括氫氧化鉀水溶液、醚醇類溶劑、醇胺類溶劑、醇類溶劑以及接口活性劑。

12.根據權利要求10所述的基板的回收方法，其特征在于，該堿液的溫度介于20℃至75℃之間。

13.根據權利要求10所述的基板的回收方法，其特征在于，該堿液與該銦錫氧化物薄膜接觸的時間介于20秒至300秒之間。

14.根據權利要求10所述的基板的回收方法，其特征在于，殘留的該銦錫氧化物薄膜與該酸液反應并溶解于該酸液中。

15.根據權利要求10所述的基板的回收方法，其特征在于，該酸液的成分包括鹽鐵系溶液、王水或是硝酸系溶液。

16.根據權利要求10所述的基板的回收方法，其特征在于，該些元件薄膜包含多個彩色濾光薄膜或多個主動元件。

17.根據權利要求16所述的基板的回收方法，其特征在于，該銦錫氧化物薄膜自該些彩色濾光薄膜剝離的同時，部分的該些彩色濾光薄膜與該堿液反應而溶解于該堿液中。

18.根據權利要求10所述的基板的回收方法，其特征在于，更包括收集剝離的該銦錫氧化物薄膜與該堿液的混合物，并自該銦錫氧化物薄膜與該堿液的混合物中過濾而取得含銦的粉末。