[發(fā)明專利]固態(tài)半導(dǎo)體制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010513029.1 | 申請(qǐng)日： | 2010-10-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102456777A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-05-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃世晟;凃博閔;楊順貴;黃嘉宏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00;C23C16/34;C23C16/02 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 固態(tài) 半導(dǎo)體 制作方法 | ||
1.一種固態(tài)半導(dǎo)體制作方法，包括步驟：
(a)提供一基板；
(b)在該基板上形成一緩沖層；
(c)在該緩沖層上形成一第一磊晶層；
(d)在該第一磊晶層上化學(xué)氣相沉積一具有粗化表面的第二磊晶層；
(e)在該第二磊晶層的粗化表面上成長(zhǎng)一固態(tài)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)半導(dǎo)體制作方法，其特征在于，所述步驟(d)是在750℃～950℃下通過(guò)化學(xué)氣相沉積法成長(zhǎng)該第二磊晶層。
3.如權(quán)利要求2所述的固態(tài)半導(dǎo)體制作方法，其特征在于，所述步驟(d)是在800℃～900℃下通過(guò)化學(xué)氣相沉積法成長(zhǎng)該第二磊晶層。
4.如權(quán)利要求2或3所述的固態(tài)半導(dǎo)體制作方法，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積法為有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法。
5.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)半導(dǎo)體制作方法，其特征在于，所述粗化表面包括形成在該第二磊晶層上的多個(gè)六棱錐狀凹槽。
6.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)半導(dǎo)體制作方法，其特征在于，所述第二磊晶層材質(zhì)為具有六方晶結(jié)構(gòu)的材料。
7.如權(quán)利要求6所述的固態(tài)半導(dǎo)體制作方法，其特征在于，所述第二磊晶層為氮化鎵半導(dǎo)體層。
8.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)半導(dǎo)體制作方法，其特征在于，所述基板材料選自藍(lán)寶石、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋁鎵、碳化硅或硅中之一者。
9.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)半導(dǎo)體制作方法，其特征在于，所述緩沖層為三族氮化合物半導(dǎo)體層。
10.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)半導(dǎo)體制作方法，其特征在于，所述步驟(e)的固態(tài)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)成長(zhǎng)步驟包括：
在該第二磊晶層的粗化表面上成長(zhǎng)N型三族氮化物半導(dǎo)體層；
在該N型三族氮化物半導(dǎo)體層上成長(zhǎng)三族氮化物半導(dǎo)體有源層；
在該三族氮化物半導(dǎo)體有源層上成長(zhǎng)P型三族氮化物半導(dǎo)體層。
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