[發明專利]基板處理系統有效
| 申請號: | 201010513010.7 | 申請日: | 2008-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN102024680A | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發明(設計)人: | 山本雄一 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;G03F7/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;盧江 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 系統 | ||
1.一種基板處理系統,其特征在于包括:
承載塊,進行收容多塊基板的承載器的搬入及搬出;
處理部,對從承載塊逐塊搬入的基板進行形成包含感光材料膜的涂敷膜的涂敷處理及將以規定的曝光圖案曝光的所述感光材料膜顯影的顯影處理;
接口塊,在所述處理部與將所述感光材料膜以規定的曝光圖案曝光的曝光裝置之間交接基板;以及
基板搬運機構,在它們之間搬運基板,
所述基板處理系統可對應對一個基板進行至少兩次曝光的曝光裝置,
所述處理部包括:進行對應于第1次曝光的第1次涂敷處理的第一涂敷處理部、進行第1次顯影處理的第一顯影處理部、進行對應于第2次曝光的第2次涂敷處理的第二涂敷處理部、以及進行第2次顯影處理的第二顯影處理部,
所述第一涂敷處理部、所述第一顯影處理部、所述第二涂敷處理部以及所述第二顯影處理部配置成:對一塊基板依次進行所述第1次涂敷處理、所述第1次顯影處理、所述第2次涂敷處理及所述第2次顯影處理時,一筆繪成地進行對該一塊基板的搬運。
2.如權利要求1所述的基板處理系統,其特征在于:所述接口塊具有進行多塊基板的緩沖的緩沖部。
3.一種基板處理系統,其特征在于包括:
承載塊,進行收容多塊基板的承載器的搬入及搬出;
處理部,對從承載塊逐塊搬入的基板進行形成包含感光材料膜的涂敷膜的涂敷處理及將以規定的曝光圖案曝光的所述感光材料膜顯影的顯影處理;
接口塊,在所述處理部與將所述感光材料膜以規定的曝光圖案曝光的曝光裝置之間交接基板;以及
基板搬運機構,在它們之間搬運基板,
所述基板處理系統可對應對一個基板進行至少兩次曝光的曝光裝置,
所述處理部包括:進行對應于第1次曝光的第1次涂敷處理的第一涂敷處理部、進行第1次顯影處理的第一顯影處理部、進行對應于第2次曝光的第2次涂敷處理的第二涂敷處理部、以及進行第2次顯影處理的第二顯影處理部,
所述第一涂敷處理部、所述第一顯影處理部、所述第二涂敷處理部以及所述第二顯影處理部配置成:對一塊基板依次進行所述第1次涂敷處理、所述第1次顯影處理、所述第2次涂敷處理及所述第2次顯影處理時,一筆繪成地進行對該一塊基板的搬運,
所述接口塊具有進行多塊基板的緩沖的緩沖部,
用所述緩沖部進行基板的緩沖,以使處理量成為曝光裝置處理量的一半。
4.如權利要求2或權利要求3所述的基板處理系統,其特征在于:所述緩沖部具有將基板搬入曝光裝置時進行緩沖的搬入用緩沖盒。
5.如權利要求4所述的基板處理系統,其特征在于:所述緩沖部還具有對從曝光裝置搬出的基板進行緩沖的搬出用緩沖盒。
6.如權利要求5所述的基板處理系統,其特征在于:所述搬入用緩沖盒及所述搬出用緩沖盒的一方或雙方包括用于第1次曝光的和用于第2次曝光的。
7.如權利要求3所述的基板處理系統,其特征在于:
還具備控制所述基板搬運機構對基板的搬運的搬運控制機構,
所述搬運控制機構控制所述搬運機構,以使基板從所述承載塊的承載器搬運到所述處理部的所述第一涂敷處理部,在所述第一涂敷處理部中的涂敷處理結束后,使該基板經由所述接口塊搬運到所述曝光裝置,在所述曝光裝置中第1次曝光之后,使該基板經由所述接口塊搬運到所述處理部的所述第一顯影處理部,在所述第一顯影處理部中的顯影處理結束后,使該基板搬運到所述第二涂敷處理部,在所述第二涂敷處理部中的涂敷處理結束后,使該基板經由所述接口塊搬運到所述曝光裝置,在所述曝光裝置中第2次曝光之后,使該基板經由所述接口塊搬運到所述處理部的所述第二顯影處理部,在所述第二顯影處理部中的顯影處理結束后,使該基板收容于所述承載塊的承載器中。
8.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的基板處理系統,其特征在于:
所述第一涂敷處理部、所述第一顯影處理部、所述第二涂敷處理部以及所述第二顯影處理部構成為上下層疊。
9.如權利要求8所述的基板處理系統,其特征在于:
并排設置了在所述第二顯影處理部上層疊所述第一涂敷處理部而成的第一層疊體和在所述第一顯影處理部上層疊所述第二涂敷處理部而成的第二層疊體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





