[發明專利]發光二極管有效
| 申請號： | 201010510420.6 | 申請日： | 2010-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN102456798A | 公開（公告）日： | 2012-05-16 |
| 發明（設計）人： | 沈佳輝;洪梓健 | 申請（專利權）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 | ||
1.一種發光二極管，包括基座、安裝基座上的第一引腳及第二引腳、與第一引腳及第二引腳電連接的發光芯片及覆蓋發光芯片的封裝體，發光芯片可發出紫外光，其特征在于：基座表面上暴露在發光芯片照射范圍內的區域覆蓋有絕緣保護膜。
2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：該絕緣保護膜為布拉格反射膜。
3.如權利要求2所述的發光二極管，其特征在于：絕緣保護膜包括多層交替層疊的第一折射層及第二折射層，第一折射層的折射率大于第二折射層的折射率。
4.如權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：第一折射層及第二折射層的厚度均為發光芯片發出光線的波長的四分之一。
5.如權利要求1至4任一項所述的發光二極管，其特征在于：絕緣保護膜包括位于第一引腳及第二引腳之間的部分。
6.如權利要求5所述的發光二極管，其特征在于：基座開設一收容發光芯片的凹槽，封裝體填充于凹槽內。
7.如權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：絕緣保護膜包括位于凹槽內側壁面的部分。
8.如權利要求1至4任一項所述的發光二極管，其特征在于：封裝體內摻雜有熒光粉顆粒。
9.如權利要求1至4任一項所述的發光二極管，其特征在于：封裝體內摻雜有反射顆粒，反射顆粒由二氧化鈦、云母或氧化鋅制成。
10.如權利要求1至4任一項所述的發光二極管，其特征在于：絕緣保護層由二氧化硅或氮化硅所制成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司，未經展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010510420.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
