[發明專利]具有抗指紋涂層的被覆件及其制備方法有效
| 申請號： | 201010510347.2 | 申請日： | 2010-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN102443763A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發明（設計）人： | 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;彭立全 | 申請（專利權）人： | 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 指紋 涂層 被覆 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有抗指紋涂層的被覆件，包括基材及形成于該基材上的抗指紋涂層，其特征在于：該抗指紋涂層包括一透明的SiO2層及一透明的CaF2層，該SiO2層位于該基材與該CaF2層之間。
2.如權利要求1所述的具有抗指紋涂層的被覆件，其特征在于：該SiO2層的厚度為0.02～0.05微米。
3.如權利要求1所述的具有抗指紋涂層的被覆件，其特征在于：該CaF2層的厚度為0.1～0.5微米。
4.如權利要求1所述的具有抗指紋涂層的被覆件，其特征在于：該具有抗指紋涂層的被覆件還包括一位于該基材與抗指紋涂層之間的顏色層。
5.一種具有抗指紋涂層的被覆件的制備方法，包括如下步驟：
提供基材；
通過真空鍍膜方法在該基材上沉積一抗指紋涂層，該抗指紋涂層包括一透明的SiO2層及一透明的CaF2層，該SiO2層位于該基材與該CaF2層之間。
6.如權利要求5所述的抗指紋涂層的被覆件的制備方法，其特征在于：所述真空度膜方法為射頻磁控濺射法。
7.如權利要求6所述的抗指紋涂層的被覆件的制備方法，其特征在于：所述射頻磁控濺射法沉積該SiO2層是以SiO2為靶材，功率為100～400W，該溫度控制在20～200℃，以流量為100～200sccm的氬氣為濺射氣體，以流量為10～30sccm的氧氣作為反應氣體，鍍膜時間為6～15分鐘。
8.如權利要求6所述的抗指紋涂層的被覆件的制備方法，其特征在于：所述射頻磁控濺射法沉積該CaF2層是以CaF2為靶材，功率為100～400W，以流量為100～200sccm的氬氣為濺射氣體，沉積時間為10～20分鐘。
9.如權利要求5所述的抗指紋涂層的被覆件的制備方法，其特征在于：所述真空度膜方法為蒸鍍。
10.如權利要求5所述的抗指紋涂層的被覆件的制備方法，其特征在于：該抗指紋涂層的被覆件的制備方法還包括在沉積該抗指紋涂層前對該基材進行超聲波清洗及等離子體清洗的步驟。
11.如權利要求5所述的抗指紋涂層的被覆件的制備方法，其特征在于：該抗指紋涂層的被覆件的制備方法還包括在沉積該抗指紋涂層之前于該基材上鍍覆一顏色層的步驟。
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