[發明專利]使用自旋MOS晶體管的非易失性存儲器電路

有效

• 申請號: 201010509925.0
• 申請日: 2010-10-14
• 公開（公告）號: CN102148055A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 杉山英行;棚本哲史;丸龜孝生;石川瑞惠;井口智明;齊藤好昭
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

1.一種非易失性存儲器電路，其特征在于，其具備：

第一p溝道MOS晶體管，具有作為源極和漏極中的一個的第一電極和作為另一個的第二電極，所述第一電極被連接到第一布線；

第二p溝道MOS晶體管，具有作為源極和漏極中的一個的第三電極和作為另一個的第四電極，所述第三電極被連接到所述第一布線，所述第四電極被連接到所述第一p溝道MOS晶體管的柵極，該第二p溝道MOS晶體管的柵極被連接到所述第一p溝道MOS晶體管的所述第二電極；

第一n溝道自旋MOS晶體管，具有作為源極和漏極中的一個的第五電極和作為另一個的第六電極，所述第五電極被連接到第二布線，所述第六電極被連接到所述第一p溝道MOS晶體管的所述第二電極，該第一n溝道自旋MOS晶體管的柵極被連接到所述第二p溝道MOS晶體管的所述第四電極；

第二n溝道自旋MOS晶體管，具有作為源極和漏極中的一個的第七電極和作為另一個的第八電極，所述第七電極被連接到所述第二布線，所述第八電極被連接到所述第二p溝道MOS晶體管的所述第四電極，該第二n溝道自旋MOS晶體管的柵極被連接到所述第一p溝道MOS晶體管的所述第二電極；

第一n溝道MOS晶體管，具有作為源極和漏極中的一個的第九電極和作為另一個的第十電極，所述第九電極被連接到所述第一p溝道MOS晶體管的所述第二電極，所述第十電極被連接到第三布線，該第一n溝道MOS晶體管的柵極被連接到第四布線；以及

第二n溝道MOS晶體管，具有作為源極和漏極中的一個的第十一電極和作為另一個的第十二電極，所述第十一電極被連接到所述第二p溝道MOS晶體管的所述第四電極，所述第十二電極被連接到第五布線，該第二n溝道MOS晶體管的柵極被連接到所述第四布線。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器電路，其特征在于：

在將所述第一布線的電壓設定為H電平，將所述第二布線的電壓設定為L電平，將所述第四布線的電壓設定為H電平，并使施加到所述第三和第五布線中的一條布線上的電壓為H電平，使施加到另一條布線上的電壓為L電平后，通過使所述一條布線的電壓為L電平或者使所述另一條布線的電壓為H電平，在所述第一和第二n溝道自旋MOS晶體管的一個中流過電流，來向所述一個n溝道自旋MOS晶體管進行寫入。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器電路，其特征在于：

在將所述第一布線的電壓設定為H電平，將所述第二布線的電壓設定為L電平，將所述第四布線的電壓設定為H電平，并使施加到所述第三和第五布線中的一條布線上的電壓為H電平，使施加到另一條布線上的電壓為L電平后，通過使所述第二布線的電壓為H電平，在所述第一和第二n溝道自旋MOS晶體管的一個中流過電流，來向所述一個n溝道自旋MOS晶體管進行寫入。