[發明專利]待刻蝕層的刻蝕速率分布曲線的數據庫、形成及使用方法有效
| 申請號： | 201010509280.0 | 申請日： | 2010-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN102456078A | 公開（公告）日： | 2012-05-16 |
| 發明（設計）人： | 張翼英 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;顧珊 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 速率 分布 曲線 數據庫 形成 使用方法 | ||
1.一種待刻蝕層的刻蝕速率分布曲線的數據庫，包括在以下刻蝕條件下形成的多條第一曲線，所述第一曲線為所述待刻蝕層上各點的刻蝕速率隨各點離待刻蝕層的中心距離不同而形成的分布曲線，所述刻蝕條件為：在刻蝕機臺底電極板的中心溫度和邊緣溫度相同的情況下，分別進行中心進氣、邊緣進氣和均等進氣。
2.如權利要求1所述的數據庫，其特征在于，所述數據庫還包括在以下刻蝕條件下形成的多條第二曲線，所述第二曲線為所述待刻蝕層上各點的刻蝕速率隨各點離待刻蝕層的中心距離不同而形成的分布曲線，所述刻蝕條件為：在所述刻蝕機臺底電極板的所述中心溫度和所述邊緣溫度不同的情況下，分別進行所述中心進氣、所述邊緣進氣和所述均等進氣。
3.如權利要求2所述的數據庫，其特征在于，所述數據庫還包括多條第三曲線，所述第三曲線是通過從多條所述第一曲線和多條所述第二曲線中選擇兩條作為第一被選曲線和第二被選曲線，并依據以下公式計算得到的：
其中，v1和v2分別表示所述第一被選曲線和所述第二被選曲線上離待刻蝕層的中心距離不同的各點的刻蝕速率；v3表示所述第三曲線上離待刻蝕層的中心距離不同的各點的刻蝕速率；t1表示在所述第一被選曲線對應的刻蝕條件下的刻蝕時間；t2表示在所述第二被選曲線對應的刻蝕條件下的刻蝕時間。
4.如權利要求3所述的數據庫，其特征在于，所述數據庫還包括多條第四曲線，所述第四曲線是通過從多條所述第一曲線和多條所述第二曲線中任選至少三條作為被選曲線，并依據以下公式計算得到的：
其中，n為大于等于3的整數，v1、v2、…、vn分別表示各條所述被選曲線上離待刻蝕層的中心距離不同的各點的刻蝕速率；v4表示所述第四曲線上離待刻蝕層的中心距離不同的各點的刻蝕速率；t1表示在對應于v1的所述被選曲線對應的刻蝕條件下的刻蝕時間；t2表示在對應于v2的所述被選曲線對應的刻蝕條件下的刻蝕時間；tn表示在對應于vn的刻蝕條件下的刻蝕時間。
5.如權利要求1-4中任一項所述的數據庫，其特征在于，所述待刻蝕層為柵極材料層。
6.如權利要求5所述的數據庫，其特征在于，所述刻蝕機臺底電極板的所述中心溫度和所述邊緣溫度為30~80oC。
7.一種如權利要求1所述的數據庫的形成方法，包括：
提供多個樣本，所述多個樣本上分別形成有所述待刻蝕層；
在以下刻蝕條件下，分別對所述待刻蝕層進行刻蝕，所述刻蝕條件為：在所述刻蝕機臺底電極板的所述中心溫度和所述邊緣溫度相同的情況下，分別進行所述中心進氣、所述邊緣進氣和所述均等進氣；
分別測量所述多個樣本的每一個上離所述待刻蝕層的中心距離不同的各點的刻蝕速率；以及
分別繪制所述多個樣本上所述待刻蝕層的刻蝕速率分布的多條第一曲線。
8.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：
提供多個樣本，所述多個樣本上分別形成有所述待刻蝕層；
在以下刻蝕條件下，分別對所述待刻蝕層進行刻蝕，所述刻蝕條件為：在所述刻蝕機臺底電極板的所述中心溫度和所述邊緣溫度不同的情況下，分別進行所述中心進氣、所述邊緣進氣和所述均等進氣；
分別測量所述多個樣本的每一個上離所述待刻蝕層的中心距離不同的各點的刻蝕速率；以及
分別繪制所述多個樣本上所述待刻蝕層的刻蝕速率分布的多條第二曲線。
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