[發(fā)明專利]基板冷卻裝置、基板冷卻方法及存儲介質(zhì)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010508961.5
• 申請日: 2010-10-12
• 公開（公告）號: CN102044411A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 水永耕市;久我恭弘;金田正利
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;G03F7/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種基板冷卻裝置，其特征在于，

包括：

載置臺，其包括用于載置基板的載置面；

突起，其設(shè)置于上述載置面，用于支承上述基板的背面；

制冷劑流路，其為了冷卻上述載置面而設(shè)置于上述載置臺，供制冷劑流通；

氣體噴出口，其在上述載置面的周緣部沿著周向設(shè)有多個，噴出用于冷卻基板的冷卻氣體；

氣體吸引口，其設(shè)置在上述載置面的中央部，用于吸引上述冷卻氣體；

槽，其設(shè)置于上述載置面，用于使冷卻氣體朝向基板的周向擴散。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板冷卻裝置，其特征在于，

在上述載置面的周緣部的周向上，替代設(shè)置多個上述氣體噴出口而設(shè)置有多個氣體吸引口；

在上述載置面的中央部，替代設(shè)置上述氣體吸引口而設(shè)置有氣體噴出口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板冷卻裝置，其特征在于，

設(shè)有多個上述氣體吸引口。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的基板冷卻裝置，其特征在于，

上述槽呈以上述載置面的中心為中心的同心圓狀設(shè)有多個。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的基板冷卻裝置，其特征在于，

供給到上述制冷劑流路的制冷劑的溫度被控制成低于供給到氣體噴出口的冷卻氣體的溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的基板冷卻裝置，其特征在于，

自上述氣體噴出口供給到基板的冷卻氣體的流量小于由上述氣體吸引口吸引的氣體的流量。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的基板冷卻裝置，其特征在于，

上述載置臺構(gòu)成基板輸送機構(gòu)的一部分，該載置臺能夠利用移動部件自由移動。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的基板冷卻裝置，其特征在于，

該基板冷卻裝置包括在上述載置面的周緣部凸起且用于支承基板的周緣部的臺階。

9.一種基板冷卻方法，其特征在于，

包括以下工序：

將基板載置在載置臺的載置面上；

將上述基板支承在設(shè)置于上述載置面的突起上；

為了冷卻上述載置面，使制冷劑在設(shè)置于上述載置臺的制冷劑流路中流通；

從在上述載置面的周緣部沿著周向設(shè)置的多個氣體噴出口噴出用于冷卻基板的冷卻氣體；

自設(shè)置于上述載置面的中央部的氣體吸引口吸引上述冷卻氣體；

利用設(shè)置于上述載置面的槽，使冷卻氣體朝向基板的周向擴散。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板冷卻方法，其特征在于，

替代進行從在上述載置面的周緣部沿著周向設(shè)置的多個氣體噴出口噴出上述冷卻氣體的工序，而進行從設(shè)置在上述載置面的中央部的氣體噴出口噴出上述冷卻氣體的工序；

替代進行自設(shè)置于上述載置面的中央部的氣體吸引口吸引上述冷卻氣體的工序，而進行從沿著上述載置面的周緣部的周向設(shè)置的多個氣體吸引口吸引上述冷卻氣體的工序。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的基板冷卻方法，其特征在于，

該基板冷卻方法包括將供給到上述制冷劑流路的制冷劑的溫度控制成低于供給到氣體噴出口的冷卻氣體的溫度的工序。

12.根據(jù)權(quán)利要求9～11中任一項所述的基板冷卻方法，其特征在于，

將從氣體噴出口供給到基板的冷卻氣體的流量控制成低于由氣體吸引口吸引的氣體的流量。

13.一種存儲介質(zhì)，該存儲介質(zhì)存儲有基板冷卻裝置所使用的計算機程序，其特征在于，

上述計算機程序用于實施權(quán)利要求9～12中任一項所述的基板冷卻方法。