[發(fā)明專利]MOS晶體管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010508935.2
• 申請日: 2010-10-13
• 公開（公告）號: CN102446763A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙猛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及晶體管的制作方法。

背景技術(shù)

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)晶體管是半導(dǎo)體制造中的最基本器件，其廣泛適用于各種集成電路中，根據(jù)主要載流子以及制造時的摻雜類型不同，分為NMOS和PMOS晶體管。

現(xiàn)有技術(shù)提供了一種MOS晶體管的制作方法。請參考圖1至圖3，為現(xiàn)有技術(shù)的MOS晶體管的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

請參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)102，所述隔離結(jié)構(gòu)102之間的半導(dǎo)體襯底100為有源區(qū)，在所述有源區(qū)內(nèi)形成摻雜阱101。

然后，在所述隔離結(jié)構(gòu)102之間的半導(dǎo)體襯底100上依次形成柵介質(zhì)層105和柵極106，所述柵介質(zhì)層105和柵極106構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)。

繼續(xù)參考圖1，進行氧化工藝，形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的氧化層107。

參考圖2，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏延伸區(qū)108、包圍所述源/漏延伸區(qū)108的袋狀注入?yún)^(qū)104，所述源/漏延伸區(qū)108和袋狀注入?yún)^(qū)104通過離子注入形成。在所述離子注入完成后，進行退火工藝，激活源/漏延伸區(qū)108和袋狀注入?yún)^(qū)104的摻雜離子。

參考圖3，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)墻111。進行源/漏離子注入(S/D?implant)，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成源/漏區(qū)109，最后，進行退火工藝，激活源/漏區(qū)109的摻雜離子。

在公開號為CN?101789447A的中國專利申請中可以發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于現(xiàn)有技術(shù)的信息。

在實際中發(fā)現(xiàn)，使用現(xiàn)有技術(shù)制作的MOS晶體管在應(yīng)用中使得系統(tǒng)的工作速度較慢，系統(tǒng)的功耗較大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種MOS晶體管及其制作方法，所述方法制作的MOS晶體管提高了應(yīng)用時系統(tǒng)的工作速度和功耗。

為解決上述問題，本發(fā)明一種MOS晶體管的制作方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)；

在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成側(cè)墻；

在所述柵極結(jié)構(gòu)和側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏區(qū)；

在所述源/漏區(qū)的底部形成源/漏反型區(qū)，所述源/漏反型區(qū)的摻雜離子的導(dǎo)電類型與所述源/漏區(qū)的摻雜離子的導(dǎo)電類型相反；

進行退火，激活所述源/漏區(qū)和源/漏反型區(qū)的摻雜離子。

可選地，所述源/漏反型區(qū)的高度為所述源/漏區(qū)深度的0.3～0.8倍。

可選地，所述源/漏區(qū)通過一次離子注入形成，當(dāng)晶體管為NMOS晶體管時，所述源/漏區(qū)的摻雜離子的導(dǎo)電類型為N型，所述源/漏反型區(qū)的摻雜離子的導(dǎo)電類型為P型；當(dāng)晶體管為PMOS晶體管時，所述源/漏區(qū)的摻雜離子的導(dǎo)電類型為P型，所述源/漏反型區(qū)的摻雜離子的導(dǎo)電類型為N型。

可選地，所述源/漏反型區(qū)的P型摻雜離子的能量范圍30～70KeV，劑量范圍為1E13～1E14/cm²；所述源/漏反型區(qū)的N型摻雜離子的能量范圍20～100KeV，劑量范圍為1E13～1E14/cm²。

可選地，所述源/漏區(qū)通過兩次離子注入形成，所述離子注入為第一離子注入和第二離子注入，所述第一離子注入和第二離子注入的摻雜離子的導(dǎo)電類型相同，第一離子注入的能量高于第二離子注入的能量，第一離子注入的劑量小于第二離子注入的劑量。

可選地，所述第一離子注入、第二離子注入的順序為第一離子注入先于第二離子注入，或第二離子注入先于第一離子注入；

所述源/漏反型離子注入在第一離子注入和第二離子注入之前、第一離子注入和第二離子注入之間、或在第一離子注入和第二離子注入之后。

可選地，所述晶體管為NMOS晶體管，所述第一離子注入和第二離子注入的摻雜離子的導(dǎo)電類型為N型，所述第一離子注入的能量范圍為10～40KeV，所述第一離子注入的劑量范圍為1E13～5E14/cm²，所述第二離子注入的能量范圍為2～15KeV，劑量范圍為5E14～3E15/cm²；所述反型離子注入的摻雜離子的導(dǎo)電類型為P型，所述反型離子注入的能量范圍為30～70KeV，劑量范圍為1E13～1E14/cm²。