[發(fā)明專利]等離子體處理裝置以及等離子體處理方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010508856.1
• 申請(qǐng)日: 2008-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101969016A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齊藤均;佐藤亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01J9/20
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;朱弋

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

收容被處理基板的處理室；

在所述處理室內(nèi)相對(duì)設(shè)置的第一電極以及第二電極；

第一高頻電功率施加單元，其向所述第二電極施加頻率為10MHz以上的第一高頻電功率；

第二高頻電功率施加單元，其向所述第一電極施加頻率為2MHz以上小于10MHz的第二高頻電功率；

第三高頻電功率施加單元，其向所述第二電極施加頻率為400kHz以上1.6MHz以下的高頻電功率；

氣體供給機(jī)構(gòu)，其向所述處理室內(nèi)供給用于生成等離子體的處理氣體；和

排氣機(jī)構(gòu)，其對(duì)所述處理室進(jìn)行排氣，

所述第一電極是支撐被處理基板的支撐電極，所述第二電極是與所述支撐電極相對(duì)設(shè)置的對(duì)置電極。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第三高頻電功率具有不與所述第一高頻電功率以及第二高頻電功率發(fā)生干擾的頻率。

3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一高頻電功率以及所述第二高頻電功率的頻率不是所述第三高頻電功率的頻率的整數(shù)倍。

4.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第三高頻電功率設(shè)定成能夠充分除去附著在所述第二電極上的附著物，而達(dá)到不附著附著物的程度，并且難以使上部電極消耗的功率。

5.如權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第三高頻電功率的功率在0.009～0.055W/cm²的范圍。

6.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第三高頻電功率的頻率在600kHz以上1.0MHz以下的范圍。

7.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括：

第一阻抗調(diào)節(jié)器，其與所述第二電極連接，并且按照對(duì)于所述第一高頻電功率的頻率是低阻抗，對(duì)于所述第二高頻電功率的頻率以及第三高頻電功率的頻率變成高阻抗的方式調(diào)節(jié)阻抗；和

第二阻抗調(diào)節(jié)器，其與所述第二電極連接，并且按照對(duì)于所述第二高頻電功率的頻率是低阻抗，對(duì)于所述第一高頻電功率的頻率以及所述第三高頻電功率的頻率變成高阻抗的方式調(diào)節(jié)阻抗。

8.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

進(jìn)一步包括第三阻抗調(diào)節(jié)器，與所述處理室的側(cè)壁連接，并且按照對(duì)于所述第三高頻電功率的頻率是低阻抗，對(duì)于所述第一高頻電功率的頻率以及所述第二高頻電功率的頻率變成高阻抗的方式調(diào)節(jié)阻抗。

9.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

使用絕緣性的基板作為所述被處理基板。

10.一種等離子體處理方法，其是在收容被處理基板的處理室內(nèi)相對(duì)設(shè)置第一電極以及第二電極，在它們之間形成高頻電場(chǎng)，利用該高頻電場(chǎng)使處理氣體等離子化，對(duì)被處理基板實(shí)施等離子體處理的等離子體處理方法，其特征在于：

向所述第二電極施加頻率為10MHz以上的第一高頻電功率，向所述第一電極施加頻率為2MHz以上小于10MHz的第二高頻電功率，生成等離子體，

向所述第二電極施加頻率為400kHz以上1.6MHz以下的第三高頻電功率，濺射、清洗所述第二電極的表面，

所述第一電極是支撐被處理基板的支撐電極，所述第二電極是與所述支撐電極相對(duì)設(shè)置的對(duì)置電極。

11.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述第三高頻電功率具有不與所述第一高頻電功率以及第二高頻電功率的頻率發(fā)生干擾的頻率。

12.如權(quán)利要求11所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述第一高頻電功率以及所述第二高頻電功率的頻率不是所述第三高頻電功率的頻率的整數(shù)倍。

13.如權(quán)利要求10～12中任一項(xiàng)所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述第三高頻電功率設(shè)定成能夠充分除去附著在所述第二電極上的附著物，而達(dá)到不附著附著物的程度，并且難以使上部電極消耗的功率。