[發明專利]一種采用水熱法在銅基底上制備納米Cu2-xSe陣列的方法無效
| 申請號： | 201010508607.2 | 申請日： | 2010-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN102030315A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發明（設計）人： | 胡俊青;陳海華;陳輝輝;王娜;鄒儒佳;余利;張震宇 | 申請（專利權）人： | 東華大學 |
| 主分類號： | C01B19/04 | 分類號： | C01B19/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 黃志達;謝文凱 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 采用 水熱法 基底 制備 納米 cu sub se 陣列 方法 | ||
1.一種采用水熱法在銅基底上制備納米Cu2-xSe陣列的方法，包括：
(1)將銅基底放入10～40wt％濃鹽酸中浸泡1秒鐘～10分鐘，用去離子水洗滌表面，再將其在有機溶劑A中超聲洗滌1分鐘～1小時，烘干后備用；
(2)將硒粉按摩爾比1∶1～1∶5超聲溶解在氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液中，，得到硒粉氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液；
(3)將經步驟(1)處理后的銅基底與步驟(2)得到的溶液混合于容器中，加入1～20ml生長導向劑，然后添加去離子水或有機溶劑B至容器體積的4/5～24/25，于20～200℃反應0.5～50小時；待反應結束，取出銅基底，用乙醇洗滌，干燥后，即得到在銅基底上的納米Cu2-xSe陣列。
2.根據權利要求1所述的一種采用水熱法在銅基底上制備納米Cu2-xSe陣列的方法，其特征在于：所述步驟(1)中的銅基底表面需打磨，有機溶劑A為乙醇、丙酮或乙醚。
3.根據權利要求1所述的一種采用水熱法在銅基底上制備納米Cu2-xSe陣列的方法，其特征在于：所述步驟(2)中的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液濃度為1×10-3～20mol/L。
4.根據權利要求1所述的一種采用水熱法在銅基底上制備納米Cu2-xSe陣列的方法，其特征在于：所述步驟(3)中的生長導向劑為聚乙二醇、PVP、氨水、乙二胺、聚乙烯醇中的一種或幾種，濃度為1×10-4～5mol/L。
5.根據權利要求1所述的一種采用水熱法在銅基底上制備納米Cu2-xSe陣列的方法，其特征在于：所述步驟(3)中的有機溶劑B為甲醇、乙醇、乙二醇、丙三醇中的一種或幾種。
6.根據權利要求1所述的一種采用水熱法在銅基底上制備納米Cu2-xSe陣列的方法，其特征在于：所述得到的納米Cu2-xSe陣列形貌為一維或二維。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東華大學，未經東華大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010508607.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
