[發明專利]一種硫釩銅礦結構的多晶體材料及其應用

無效

• 申請號: 201010508505.0
• 申請日: 2010-10-15
• 公開（公告）號: CN102031565A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 萬松明;呂憲順;苗鳳秀;鄧贊紅;顧桂新;張慶禮;殷紹唐
• 申請（專利權）人: 中國科學院安徽光學精密機械研究所
• 主分類號: C30B29/46
• 分類號: C30B29/46;C30B28/02;H01L31/0264;H01L31/0368;H01L31/18
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種硫釩銅礦結構的多晶體材料，其特征在于：其分子式為Cu₃MX₄，其中M＝V、Nb、Ta，X＝S、Se、Te。

2.根據權利要求1所述的一種硫釩銅礦結構的多晶體材料，其特征在于：分子結構為立方晶系，屬于空間群，硫釩銅礦結構。

3.根據權利要求1所述的一種硫釩銅礦結構的多晶體材料，其特征在于：為P型半導體材料，能帶間隙在1.0eV～3.0eV之間。

4.根據權利要求1所述的一種硫釩銅礦結構的多晶體材料，其特征在于：其為粉末狀或薄膜狀。

5.根據權利要求1所述的一種硫釩銅礦結構的多晶體材料，其特征在于：作為太陽能光伏電池的吸收層。

6.一種硫釩銅礦結構的多晶體的粉體的制備方法，其特征在于：采用真空固相合成法制備：按照化學計量比稱取銅粉、釩粉和硫粉，將所述銅粉、釩粉和硫粉放入玻璃管中，并將玻璃管抽真空密封；將抽真空密封后的玻璃管置于電阻爐中，以350～550℃的溫度恒溫加熱，加熱時間為1天，得到中間產物，所述中間產物包含未反應的原料和硫釩銅礦結構多晶粉體；加熱后將玻璃管中的中間產物取出并研磨均勻后，再次放入玻璃管中，對玻璃管再次抽真空密封后，置于電阻爐中，以350～550℃的溫度恒溫加熱6天，獲得硫釩銅礦結構的化合物多晶體的粉體。

7.一種硫釩銅礦結構的多晶體的薄膜的制備方法，其特征在于：采用脈沖激光沉積方法制備：將硫釩銅礦結構的化合物多晶體粉末通過單軸加壓成型制成片狀多晶塊，再將片狀多晶塊放入沉積室的基片上，對沉積室抽真空至10^-5Pa，維持基片溫度在300～500℃范圍內，最后采用脈沖激光器進行沉積，調整脈沖激光的頻率為5Hz，單脈沖能量100～120mJ，鍍膜時間為40分鐘，獲得硫釩銅礦結構的多晶體的薄膜。