[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法無效
| 申請號： | 201010507166.4 | 申請日： | 2010-10-14 |
| 公開（公告）號： | CN102447041A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發明（設計）人： | 胡必強;張超雄 | 申請（專利權）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管封裝結構，包括基板、發光二極管芯片和封裝層，其特征在于，所述基板包括電路結構，所述基板材料為摻陶瓷粉末的塑料，所述發光二極管芯片貼設于所述基板上，并與所述電路結構電性連接，所述封裝層覆蓋于所述基板上，包覆所述發光二極管芯片。
2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述基板的材料中摻雜的陶瓷粉末直徑小于10微米。
3.如權利要求2所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述基板的材料中摻雜的陶瓷粉末直徑為納米級別。
4.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述基板的材料中摻雜的陶瓷粉末的含量比例為5％-40％。
5.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述基板通過壓膜射出成型的方法形成。
6.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述發光二極管封裝結構還具有環繞所述發光二極管芯片的反射杯。
7.一種發光二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟：
提供一摻陶瓷粉末的塑料基底，所述基底可以分為多個基板，每個基板包括有電路結構；
將發光二極管芯片設置在每個所述基板上，與相對應的所述電路結構電連接；
將封裝層覆蓋在所述基底上，包覆所述發光二極管芯片；
切割所述基底，形成多個發光二極管封裝結構。
8.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：提供所述基底之后，還包括步驟：在所述基板上設置反射杯，與所述基板一起圍成一個容置腔。
9.如權利要求8所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：將封裝層覆蓋在所述基底上，同時填滿所述容置腔。
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