[發明專利]邊緣電場型液晶顯示器陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201010507114.7
• 申請日: 2010-10-14
• 公開（公告）號: CN102315165A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 戴孟杰;王明宗;柳智忠;李得俊
• 申請（專利權）人: 深超光電（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦;李慶波

1.一種制作邊緣電場型液晶顯示器陣列基板的方法，包括如下步驟：

提供一基板；

通過第一光蝕刻制程形成多數柵極線，多數柵極和一共同電極于該基板之上，該第一光蝕刻制程包含：

形成一第一導電層于該基板上，再形成一圖案化光阻于該第一導電層之上；

去除未被該光罩阻遮蓋的導電層部分形成柵極線和柵極于該基板之上；

形成一第一透明導體層覆蓋整個基板和圖案化光阻；

去除該圖案化光阻以及覆蓋在該圖案化光阻的第一透明導體層以形成共通電極；

形成一柵極絕緣層覆蓋該基板，該柵極線，柵極以及該共通電極；

形成一半導體層于該柵極絕緣層之上，并采用第二光蝕刻制程圖案化；

形成多數數據線，多數源極和多數汲極于該柵極絕緣層和半導體層，并通過第三光蝕刻制程圖案化；

形成一鈍化層于該柵極絕緣層、數據線、源極和汲極之上，并通過第四光蝕刻制程圖案化，使得該鈍化層上包含多數第一接觸孔，該第一接觸孔至少部分曝漏該每一汲極；

形成多數畫素電極于鈍化層上，通過第五光蝕刻制程圖案化，其中每一畫素電極透過該接觸孔電性連接該對應的汲極。

2.如權利要求1所述之邊緣電場液晶顯示器陣列基板制作方法，其中該第一導體層在第一光蝕刻制程中被過蝕刻以至于每一柵極線的寬度小于覆蓋在柵極線上的每一圖案化光阻的寬度。

3.如權利要求1所述之邊緣電場液晶顯示器陣列基板制作方法，其中每一畫素電極包含多數平行布置的條狀電極且該些條狀電極電性連接在一起，多數狹縫間隔分布于該條狀電極之間。

4.如權利要求1所述之邊緣電場液晶顯示器陣列基板制作方法，其中每一個柵極線包含一個柵極連接墊底層電極，每一數據線包含一個數據線連接墊底層電極，該鈍化層更包含多數第二接觸孔，多數第三接觸孔和多數第四接觸孔，每一第二接觸孔部分曝露對應的柵極連接墊底層電極，每一第三接觸孔部分曝露對應的數據線連接墊底層電極，每一第四接觸孔部分曝露共通電極。

5.如權利要求4所述之邊緣電場液晶顯示器陣列基板制作方法，更包含通過第五光蝕刻制程形成多數柵極連接墊頂層電極，其中每一柵極連接墊頂層電極電性連接對應的柵極連接墊底層電極，其中每一數據線連接墊頂層電極通過第三接觸孔電性連接對應的數據線連接墊底層電極.

6.如權利要求1所述之邊緣電場液晶顯示器陣列基板制作方法，更包含通過第一光蝕刻制程形成的共通電極線。

7.如權利要求6所述之邊緣電場液晶顯示器陣列基板制作方法，其中鈍化層和柵極絕緣層更包含第五接觸孔，每一第五接觸孔部分曝露該共通電極線。

8.如權利要求7所述之邊緣電場液晶顯示器陣列基板制作方法，更包含通過第五光蝕刻制程形成的連接線，其中該連接線通過第四接觸孔電性連接共通電極，通過第五接觸孔電性連接共通電極線。

9.如權利要求1所述之邊緣電場液晶顯示器陣列基板制作方法，其中一寬度范圍從0.2微米到2微米的間隔位于柵極線和共通電極之間，一寬度范圍從0.2微米到2微米的間隔位于柵極和共通電極之間。

10.一種邊緣電場型液晶顯示器陣列基板，其包含：

一基板；

一柵極線位于該基板之上；

一數據線位于該基板之上；

一薄膜晶體管位于該基板上，其中該薄膜晶體管包含：

一柵極電性連接該柵極線；

一柵極絕緣層位于柵極之上；

一半導體層位于柵極絕緣層上；

一源極和一汲極位于半導體層之上，其中該源極電性連接該數據線；

一共通電極位于基板和柵極絕緣層之間，其中該共通電極、該柵極和該柵極線三者共平面；

一鈍化層位于該柵極絕緣層上，其中該鈍化層含有一第一接觸孔，該第一接觸孔至少部分曝露該汲極；

一畫素電極位于鈍化層之上，其中畫素電極通過第一接觸孔電性連接汲極。

11.如權利要求10所述之邊緣電場液晶顯示器陣列基板，其中畫素電極包含多數條電性相連平行排布的條狀電極，多數狹縫間隔分布于該條狀電極之間。