[發明專利]面發光型半導體激光器及其制造方法

無效

• 申請號: 201010506998.4
• 申請日: 2010-09-30
• 公開（公告）號: CN102447220A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 玉貫岳正
• 申請（專利權）人: 新科實業有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/06;H01S5/20
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種相對于半導體基板的基板面的垂直方向射出激光的面發光型半導體激光器，其特征在于：包含：

由所述半導體基板，形成在該半導體基板上方的下部鏡面層，形成在該下部鏡面層上方的活性層，以及形成在該活性層上方的包含氧化層的上部鏡面層層積而形成的，在高度方向上從特定位置往上方有一部分形成臺面狀的共振器，

覆蓋所述共振器臺面部的側面及該共振器非臺面部上方的絕緣層，

各自配線在所述上部鏡面層上方及所述半導體基板下方的各電極，

且形成在所述共振器的所述臺面部的所述絕緣層的一部分的厚度，沿著該臺面部的高度方向同等地比其他部分更厚。

2.如權利要求1所述的面發光型半導體激光器，其特征在于：形成在所述共振器的所述臺面部側面的所述絕緣層中，通過該共振器的所述臺面部的中心且相互垂直的4個方向上，位于特定方向的部分的厚度比位于其他方向的部分更厚。

3.如權利要求1所述的面發光型半導體激光器，其特征在于：形成在所述共振器的所述臺面部側面的所述絕緣層，在特定的高度位置上其外周與內周形成偏心的結構。

4.如權利要求1所述的面發光型半導體激光器，其特征在于：形成在所述共振器的所述臺面部側面的所述絕緣層中，比其他部分更厚的部分的厚度，比形成在所述非臺面部表面的所述絕緣層更厚。

5.如權利要求1所述的面發光型半導體激光器，其特征在于：所述共振器的所述臺面部部分至少含有所述活性層。

6.如權利要求5所述的面發光型半導體激光器，其特征在于：所述共振器的所述臺面部，包含所述下部鏡面層以及所述半導體基板的一部分。

7.如權利要求1所述的面發光型半導體激光器，其特征在于：形成所述共振器的所述臺面部后，在該共振器的層積面相對于蒸鍍材料或者濺射標靶非平行地配置的狀態下，對其進行蒸鍍或濺鍍從而形成所述絕緣層

8.相對于半導體基板的基板面的垂直方向射出激光的面發光型半導體激光器的制造方法，其特征在于：包含：

在所述半導體基板的上方順次層積下部鏡面層，作為活性層的層體，以及包含作為氧化層的層體的上部鏡面層，并除去周圍從而使高度方向上從特定的位置向上方有一部分形成臺面狀，并形成所述活性層與所述氧化層以形成共振器的步驟，

形成覆蓋所述共振器臺面部的側面及該共振器的非臺面部上方的絕緣層的步驟，

在所述上部鏡面層上方及所述半導體基板下方形成各自配線的各電極的步驟，

且在形成所述絕緣層的步驟中，覆蓋在所述共振器的所述臺面部的所述絕緣層的一部分的厚度，沿著該臺面部的高度方向同等地與其他部分更厚。

9.相對于半導體基板的基板面的垂直方向射出激光的面發光型半導體激光器的制造方法，其特征在于：包含：

在所述半導體基板的上方順次層積下部鏡面層，作為活性層的層體，以及包含作為氧化層的層體的上部鏡面層，并除去周圍從而使高度方向上從特定的位置向上方有一部分形成臺面狀，并形成所述活性層與所述氧化層以形成共振器的步驟，

形成覆蓋所述共振器臺面部的側面及該共振器的非臺面部上方的絕緣層的步驟，

在所述上部鏡面層上方及所述半導體基板下方形成各自配線的各電極的步驟，

且在形成所述絕緣層的步驟中，形成所述共振器的所述臺面部后，在該共振器的層積面相對于蒸鍍材料或者濺射標靶非平行地配置的狀態下，對其進行蒸鍍或濺鍍，從而形成所述絕緣層。