[發(fā)明專利]基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良及其方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010506480.0 | 申請(qǐng)日： | 2010-10-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102447018A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊維鈞;吳煜明;趙偉杰;陳怡臻 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 柏騰科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00;H01L21/50;H01L33/48;H01L33/64;H01L23/12;H01L23/36 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 散熱 結(jié)構(gòu) 結(jié)合 改良 及其 方法 | ||
1.一種基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其步驟包括：
(a)提供一基板；
(b)以真空鍍膜法在該基板的頂面及底面分別形成一第一金屬層及一第二金屬層；
(c)將一散熱結(jié)構(gòu)透過一結(jié)合手段結(jié)合于該基板底面的第二金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中步驟(c)還包括將一電子元件透過該結(jié)合手段結(jié)合于該基板頂面的第一金屬層。
3.如權(quán)利要求2所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中該電子元件為一LED晶粒或IC元件。
4.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中步驟(b)的真空鍍膜法為濺鍍。
5.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中步驟(b)的第一金屬層及第二金屬層的材質(zhì)為銅或鈦。
6.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中步驟(b)的第一金屬層為局部地形成于該基板的頂面。
7.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中步驟(a)的基板為一已布有電路圖型的基板。
8.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中步驟(a)的基板為一陶瓷基板。
9.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中步驟(a)的基板為一鋁基板。
10.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中在步驟(b)之后還包括在該第一金屬層上形成一電路圖型。
11.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中步驟(b)的第一金屬層及第二金屬層的厚度至少為0.5μm。
12.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中在步驟(b)之后還包括將該基板的第一金屬層及第二金屬層以電鍍法進(jìn)行增厚使其厚度至少為0.5μm。
13.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中步驟(c)的結(jié)合手段為一焊接法。
14.如權(quán)利要求1所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合方法，其中步驟(c)的該散熱結(jié)構(gòu)為一散熱鰭片。
15.一種基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，包括：
一基板，具有一頂面及一底面，該基板的頂面以真空鍍膜法鍍有一第一金屬層，該基板的底面以真空鍍膜法鍍有一第二金屬層；
一散熱結(jié)構(gòu)，透過一結(jié)合手段結(jié)合于該基板底面的第二金屬層。
16.如權(quán)利要求15所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，其中該基板頂面的第一金屬層還包括透過該結(jié)合手段結(jié)合一電子元件。
17.如權(quán)利要求16所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，其中該電子元件為一LED晶?；騃C元件。
18.如權(quán)利要求15所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，其中該真空鍍膜法為濺鍍。
19.如權(quán)利要求15所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，其中該第一金屬層及第二金屬層的材質(zhì)為銅或鈦。
20.如權(quán)利要求15所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，其中該第一金屬層為局部地形成于該基板的頂面。
21.如權(quán)利要求15所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，其中該基板為一已布有電路圖型的基板。
22.如權(quán)利要求15所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，其中該基板為一陶瓷基板。
23.如權(quán)利要求15所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，其中該基板為一鋁基板。
24.如權(quán)利要求15所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，其中該基板的第一金屬層及第二金屬層的厚度至少為0.5μm。
25.如權(quán)利要求15所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，其中該基板的第一金屬層及第二金屬層還以一電鍍法進(jìn)行增厚使其厚度至少為0.5μm。
26.如權(quán)利要求15所述的基板與散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)合改良，其中該散熱結(jié)構(gòu)為一散熱鰭片。
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