[發明專利]一種臨界電壓調降方法及程序化方法

有效

• 申請號: 201010506434.0
• 申請日: 2010-10-12
• 公開（公告）號: CN102054535A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 王立中;黃瑞鴻
• 申請（專利權）人: 閃晶半導體股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種臨界電壓調降方法，其特征在于，應用于一過度程序化的場效晶體管非易失性存儲單元上，所述方法包含以下步驟：

分別施加一第一電壓及一第二電壓至所述過度程序化FET?NVM單元的控制柵極及基體；以及

在一預設時間內，施加一信號至所述過度程序化FET?NVM單元的漏極，以產生一有限臨界電壓減少量；

其中，所述第一電壓及所述第二電壓的極性相反于所述信號的極性。

2.如權利要求1所述的調降方法，其特征在于，所述信號是一電壓脈沖。

3.如權利要求1所述的調降方法，其特征在于，所述第二電壓為一接地電壓、或者和所述第一電壓具相同極性的一電壓。

4.如權利要求1所述的調降方法，其特征在于，所述FET?NVM單元具有多個存儲器狀態，且各所述存儲器狀態對應一臨界電壓位階；以及，其中各所述臨界電壓位階具有一第一界限及一第二界限，而且，所述有限臨界電壓減少量小于一臨界電壓位階的所述第一界限及所述第二界限間的電壓差，而所述臨界電壓位階對應于一選定的存儲器狀態。

5.如權利要求1所述的調降方法，其特征在于，當所述過度程序化FETNVM單元為以N型場效晶體管為主的NVM單元時，所述第一電壓及所述第二電壓為負極性。

6.如權利要求1所述的調降方法，其特征在于，當所述過度程序化FETNVM單元為以P型場效晶體管為主的NVM單元時，所述第一電壓及所述第二電壓為正極性。

7.如權利要求1所述的調降方法，其特征在于，所述有限臨界電壓減少量根據所述預設時間長度或所述第一電壓、所述第二電壓及所述信號的振幅來調整。

8.如權利要求1所述的調降方法，其特征在于，當所述有限臨界電壓減少量與所述第一電壓、所述第二電壓及所述信號的振幅都固定時，所述預設時間長度與所述過度程序化FET?NVM單元的臨界電壓大小有關。

9.一種臨界電壓調降方法，其特征在于，應用于一過度程序化的場效晶體管非易失性存儲單元上，所述方法包含以下步驟：

分別施加一第一電壓及一第二電壓至所述過度程序化FET?NVM單元的漏極及基體；以及

在一預設時間內，施加一信號至所述過度程序化FET?NVM單元的控制柵極，以產生一有限臨界電壓減少量；

其中，所述信號及所述第二電壓的極性相反于所述第一電壓的極性。

10.如權利要求9所述的調降方法，其特征在于，所述信號是一電壓脈沖。

11.如權利要求9所述的調降方法，其特征在于，所述第二電壓為一接地電壓、或者和所述第一電壓具相同極性的一電壓。

12.如權利要求9所述的調降方法，其特征在于，所述FET?NVM單元具有多個存儲體狀態，且各所述存儲器狀態對應一臨界電壓位階；以及，其中各臨界電壓位階具有一第一界限及一第二界限，而且，所述有限臨界電壓減少量小于一臨界電壓位階的所述第一界限及所述第二界限間的電壓差，而所述臨界電壓位階對應于一選定的存儲器狀態。

13.如權利要求9所述的調降方法，其特征在于，當所述過度程序化FETNVM單元為以N型場效晶體管為主的NVM單元時，所述第一電壓為正極性。

14.如權利要求9所述的調降方法，其特征在于，當所述過度程序化FETNVM單元為以P型場效晶體管為主的NVM單元時，所述第一電壓為負極性。

15.如權利要求9所述的調降方法，其特征在于，所述有限臨界電壓減少量根據所述預設時間長度或所述第一電壓、所述第二電壓及所述信號的振幅來調整。

16.如權利要求9所述的調降方法，其特征在于，當所述有限臨界電壓減少量與所述第一電壓、所述第二電壓及所述信號的振幅都固定時，所述預設時間長度與所述過度程序化FET?NVM單元的臨界電壓大小有關。