[發明專利]一種低正向壓降肖特基二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 201010505991.0
• 申請日: 2010-09-30
• 公開（公告）號: CN102446980A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 王艷春;高云飛;李旺勤;黃震宇
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/417;H01L21/329
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• 代理人: 暫無信息

1.一種低正向壓降肖特基二極管，其特征在于：從下到上依次包括：陰極金屬(1)、第一導電類型陰極區(2)、第一導電類型襯底(3)、第一導電類型外延層(4)、勢壘金屬或金屬硅化物(10)、陽極金屬(5)；第一導電類型外延層包括自其上表面向下延伸的凹槽(6)，勢壘金屬或金屬硅化物(10)與凹槽(6)的內壁相連形成肖特基接觸(8)。

2.根據權利要求1所述的一種低正向壓降肖特基二極管，其特征在于：所述第一導電類型外延層上表面除凹槽區域以外的部分覆蓋有隔離層(7)。

3.根據權利要求1所述的一種低正向壓降肖特基二極管，其特征在于：所述凹槽為矩形槽、梯形槽、錐形槽或者異形槽。

4.根據權利要求1所述的一種低正向壓降肖特基二極管，其特征在于：所述的第一導電類型陰極區為重摻雜，所述的第一導電類型外延層為輕摻雜。

5.根據權利要求4所述的一種低正向壓降肖特基二極管，其特征在于：所述的重摻雜濃度為1×10²¹cm^-3，所述的輕摻雜濃度為1×10¹⁴cm^-3。

6.根據權利要求4所述的一種低正向壓降肖特基二極管，其特征在于：所述的輕摻雜濃度是線性分布的，或者類高斯分布。

7.根據權利要求1所述的一種低正向壓降肖特基二極管，其特征在于：該肖特基二極管還包括設于第一導電類型外延層(4)中的第二導電類型重摻雜區(9)，所述第二導電類型重摻雜區的一部分與勢壘金屬或金屬硅化物(10)形成歐姆接觸。

8.根據權利要求1-7任意一項所述的一種低正向壓降肖特基二極管，其特征在于：所述的第一導電類型為N型。

9.根據權利要求1-7任意一項所述的一種低正向壓降肖特基二極管，其特征在于：所述的第一導電類型為P型。

10.一種低正向壓降肖特基二極管制造方法，其特征在于，包括以下幾個步驟：

(1)提供第一導電類型的襯底；

(2)于第一導電類型襯底上淀積形成第一導電類型外延層；

(3)在第一導電類型外延層上刻蝕凹槽，在所述凹槽的內壁蒸渡或濺射形成勢壘金屬或金屬硅化物；

(4)在勢壘金屬或金屬硅化物上蒸渡或濺射形成陽極金屬；

(5)于第一導電類型襯底下表面淀積形成第一導電類型陰極區；

(6)于第一導電類型陰極區下表面蒸渡或濺射形成陰極金屬。