[發明專利]一種存儲器及其使用方法

有效

• 申請號: 201010505165.6
• 申請日: 2010-10-09
• 公開（公告）號: CN102446555A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 洪俊雄;洪碩男;劉增毅
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種存儲器及其使用方法。

背景技術

讀取干擾是例如浮動柵極和電荷捕捉存儲單元等非易失存儲單元操作中的一個嚴重問題。讀取干擾會在非易失存儲單元進行讀取操作時發生；雖然是施加讀取偏壓而不是編程偏壓，某種程度的編程仍會在施加一讀取偏壓時發生。在經過許多次讀取操作之后，讀取干擾會提升此受影響的非易失存儲單元的閾值電壓。

讀取干擾會因為讀取偏壓配置Vpass足夠高可以導致編程而發生于與非門串行中。在一串聯安排的非易失存儲單元的與非門串行中，讀取電壓Vread被施加至此與非門串行中所選取存儲單元的字線上，及一導通電壓Vpass被施加至此與非門串行中未選取存儲單元的字線上。

圖1為閾值電壓分布的圖式，顯示高閾值電壓(HVt)和低閾值電壓(LVt)的分布、字線讀取電壓區間及字線導通電壓區間。Vpass足夠高可以開啟此與非門串行中未選取存儲單元之下的通道而不管儲存于此未選取存儲單元中的數據值。特別是，Vpass足以開啟儲存與最高閾值電壓(HVt)分布相關的數據值的一存儲單元之下的通道。Vread足以開啟此與非門串行中一選取存儲單元之下的通道，其具有與一低于Vread的閾值電壓分布相關的數據值，且足夠低而可以關閉此與非門串行中一選取存儲單元之下的通道，其具有與一高于Vread的閾值電壓分布相關的數據值。

發明內容

本發明是關于許多通過降低Vpass電壓來解決讀取干擾的方案。一般而言，此Vpass電壓超過最高閾值電壓分布，所以無論儲存于此未選取存儲單元中的數據值為何，在一與非門串行未選取存儲單元之下的通道總是開啟。然而，在不同的實施例中通過降低最高閾值電壓分布的最大值來降低Vpass電壓。

本發明的第一方式的高閾值電壓分布具有許多不同版本-一版本具有降低的最大值及另一版本，其特定版本是取決于指令。本發明的第二方式的高閾值電壓分布具有許多不同版本-一版本具有降低的最大值及另一版本，其特定版本是取決于指令及指令緩存器。本發明的第三方式為對應的方法。不同的方案會于底下描述。

本發明的第一方式為提供一種存儲器，具有存儲單元、字線及控制電路。

多個存儲單元串聯安排于一半導體主體中，該串聯的存儲單元具有一第一端及一第二端。該多個存儲單元中的存儲單元具有一閾值電壓，該閾值電壓是與一第一數據值相關的一第一閾值電壓分布及與一第二數據值相關的一第二閾值電壓分布兩者之一，該第一閾值電壓分布是較該第二閾值電壓分布為低的閾值電壓分布。

該多條字線中的字線與該多個存儲單元中對應的存儲單元耦接。

控制電路與該多條字線耦接，該控制電路具有多組的指令，包括第一組指令及第二組指令。

此第一組指令包括編程與讀取指令，該第一組指令對應于與該第二數據值相關的該第二閾值電壓分布的一第一版本，該第二閾值電壓分布的該第一版本具有一第一版本分布最大值。

此第二組指令包括編程與讀取指令，該第二組指令對應于與該第二數據值相關的該第二閾值電壓分布的一第二版本，該第二閾值電壓分布的該第二版本具有一第二版本分布最大值。

該第一版本分布最大值大于該第二版本分布最大值。

在一實施例中，該第二閾值電壓分布的該第一版本寬于該第二閾值電壓分布的該第二版本。

在一實施例中，該控制電路執行具有一遞增幅的遞增步進脈沖編程，其中在該第一組指令中編程指令的該遞增幅大于在該第二組指令中編程指令的該遞增幅。

在一實施例中，該第一組指令中的編程指令較在該第二組指令中的編程指令更快。

在一實施例中，在該第一組指令中的讀取指令施加一第一讀取偏壓配置至該多條字線中的字線，且該第一讀取偏壓配置施加一第一導通電壓至該多條字線中的未選取字線。

在該第二組指令中的讀取指令施加一第二讀取偏壓配置至該多條字線中的字線，且該第二讀取偏壓配置施加一第二導通電壓至該多條字線中的未選取字線。該第一導通電壓大于該第二導通電壓。

在一實施例中，該存儲器包括多個存儲單元及一額外的多個存儲單元，其中該控制電路使用該第一組指令于該多個存儲單元，及該控制電路使用該第二組指令于該額外的多個存儲單元，且儲存于該額外的多個存儲單元中的數據與儲存于該多個存儲單元中的數據相比較不易產生錯誤。

本發明的第二方式為提供一種存儲器，具有存儲單元、字線、指令緩存器及控制電路。

該指令緩存器儲存一第一值與一第二值之一。