[發明專利]耐熱性駐極體有效
| 申請號: | 201010504958.6 | 申請日: | 2004-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN101977344A | 公開(公告)日: | 2011-02-16 |
| 發明(設計)人: | 川戶進;太田喜律 | 申請(專利權)人: | 東邦化成株式會社 |
| 主分類號: | H04R19/01 | 分類號: | H04R19/01 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳建全 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 耐熱性 駐極體 | ||
本申請是申請日為2004年7月21日、發明名稱為“耐熱性駐極體用材料和耐熱性駐極體”的中國專利申請No.200480021016.5(PCT/JP2004/010683國際申請進入中國國家階段)的分案申請。
技術領域
本發明涉及用于耳機、頭戴耳機或麥克風等中的耐熱性駐極體用材料和耐熱性駐極體。
現有技術
迄今為止,作為用于耳機、頭戴耳機或麥克風等中的駐極體,公開了在金屬薄片上層壓可構成駐極體的熱塑性樹脂薄膜,并將該樹脂駐極體化的方法(參閱特開昭64-44010號公報)。
此外,還公開了通過將分散有四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)的微粒的有機溶劑涂布在金屬板上形成薄膜,并將該薄膜駐極體化的方法(參閱特開平11-150795號公報),以及在金屬板上噴灑分散有FEP的微粒的噴灑液,然后燒結而將其駐極體化的方法(參閱特開2000-115895號公報)。
但是,當使用以往的使用了FEP的駐極體來制造麥克風等時,如果利用流動裝置(flow?device)或回流裝置(reflow?device)進行軟釬焊,則存在由于軟釬焊時的高溫導致駐極體的功能降低的問題。特別是最近,隨著越來越多地使用無鉛焊料,軟釬焊時的溫度達到更高溫的260℃左右,有可能發生駐極體的功能本身喪失的嚴重問題。
發明內容
為了解決上述問題,本發明提供一種在高溫下的電荷保持性能高的耐熱性駐極體。
本發明提供一種包含氟樹脂的耐熱性駐極體用材料,其中上述氟樹脂為改性聚四氟乙烯。
此外,本發明提供一種耐熱性駐極體,其是在金屬部件的表面設置有包含氟樹脂的耐熱性駐極體用材料的耐熱性駐極體,其中上述氟樹脂為改性聚四氟乙烯。
此外,本發明提供一種耐熱性駐極體,其是在金屬部件的表面粘接有樹脂薄膜的耐熱性駐極體,其中,上述樹脂薄膜包含聚四氟乙烯,上述樹脂薄膜的一個面的水滴接觸角為110°或以下,上述樹脂薄膜的一個面與上述金屬部件相粘接。
此外,本發明提供一種耐熱性駐極體,其是在金屬部件的表面粘接有樹脂薄膜的耐熱性駐極體,其中上述樹脂薄膜包含聚四氟乙烯,并且只有上述金屬部件一側的上述樹脂薄膜的一個面被實施了易粘接處理。
附圖說明
圖1為實施例A1制造的駐極體的剖面圖。
圖2為表示駐極體的表面電位殘留率和溫度之間的關系的圖。
圖3為實施例B1制造的駐極體用層壓板的剖面圖。
圖4為表示耐濕試驗中的表面電位殘留率和時間之間的關系的圖。
具體實施方式
(實施方案1)
本發明的耐熱性駐極體用材料的一個實例,是包含氟樹脂的耐熱性駐極體用材料,且使用改性聚四氟乙烯(改性PTFE)作為上述氟樹脂。
為了提高駐極體在高溫下的電荷保持性能,必須保持電荷的俘獲部位直到駐極體用材料的熔點附近。作為具體的電荷俘獲部位,通常認為包括構成駐極體用材料的氟樹脂的結晶內部的結晶缺陷、以及結晶部分與非結晶部分的界面。作為純粹的聚四氟乙烯(均聚PTFE),在成形加工時容易產生空隙,由于該空隙則高溫時應力被緩和,從而容易引起結晶的流動。其結果是,電荷的俘獲部位(例如結晶部分與非結晶部分的界面)被破壞,電荷保持性能降低。此外,由于均聚PTFE的化學結構中不具有側鏈,因而難以產生結晶缺陷。與此相反,改性PTFE在成形加工時空隙的發生少,并且其化學結構中具有側鏈,因此即使在高溫下也能保持電荷的俘獲部位,高溫下的電荷保持性能高。
此外,通過使用氟樹脂作為駐極體用材料,能夠賦予產品表面抗污染性、抗化學腐蝕性、防水性、耐候性等良好的功能,并且駐極體的柔韌性不會受到損害,此外能夠比較容易地進行駐極體的壓型加工。另外,改性PTFE的熔點(大約324℃)與作為代表性的氟樹脂的均聚PTFE的熔點(大約330℃)基本相同。這樣,能夠使用加工溫度達到300℃左右的MEMS(Micro?Electro?Mechanical?Systems)技術制造麥克風等。
此外,優選上述改性PTFE是通過共聚99.0~99.999mol%的四氟乙烯和1.0~0.001mol%的全氟乙烯基醚得到的共聚物。此外,更優選上述改性PTFE是通過共聚99.5~99.99mol%的四氟乙烯和0.5~0.01mol%的全氟乙烯基醚得到的共聚物。這是因為當按照上述范圍使四氟乙烯和全氟乙烯基醚共聚時,全氟乙烯基醚會使PTFE的基礎結晶中局部地產生形變(結晶缺陷),能夠容易地將電荷保持在該形變部分中。
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