[發明專利]芯片擦除方法

有效

• 申請號: 201010504613.0
• 申請日: 2010-10-12
• 公開（公告）號: CN101964211A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/16
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及閃存器件，尤其是閃存器件中的芯片擦除方法。

背景技術

閃存(Flash?Memory)是一種非易失性的存儲器，在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種，區別于EEPROM僅能在字節水平上進行刪除和重寫，閃存能夠執行整個芯片的擦寫，從而具有比EEPROM更快的速度。

芯片擦除(chip?erase)是閃存中的一種重要操作。現有技術中，通常采用這樣的芯片擦除方法：首先，對芯片中的全部字線進行譯碼，以獲得所有字線的地址；接著，根據譯碼結果同時選中全部字線；然后，對所選中的字線同時進行置位，例如統一置高電平或低電平，從而擦除全部字線中原先的數值。

參考圖1，閃存至少包括譯碼器110，用于對字線進行譯碼；以及字線陣列120。當閃存執行芯片擦除功能時，首先通過譯碼器110對字線進行譯碼。例如，所述閃存具有4nk條字線，對應地譯碼器100可包括n條位線，通過將每一條位線的值置為1或者置為0，以確定譯碼器100的譯碼結果所對應的字線。接著，參考圖2，通過使能信號同時選中所有字線，例如，所述使能信號X可為脈沖信號，或上升沿信號，當出現所述使能信號時，譯碼所對應的所有字線都被施加一預定電壓值，例如電源電壓值。以選中所述字線。然后，再通過擦除信號對所有的字線同時進行置位，以完成擦除操作。

然而，在現有技術中，當同時對芯片中所有字線進行譯碼并選中時，所有的字線被預施加至同一電壓值，這使得在所有字線被選中的瞬間會產生很大的功耗。所產生的瞬間高功耗會帶來諸多問題，例如拉低了電源電壓的值，從而影響芯片的正常工作，而且會產生部分字線未被選中的情況，從而無法完成芯片擦除的操作。甚至，還會產生將會在芯片內部產生一些負效應，例如產生P型FET的前向偏置，進而導致閂鎖(latch?up)效應。

為了避免上述問題，有必要提供一種芯片擦除方法。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種芯片擦除方法，以解決在執行芯片擦除操作時存在的瞬時高功耗及其可能帶來的后續問題。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種芯片擦除方法，包括通過譯碼獲得對應的字線，其中還包括：將譯碼獲得的所述對應的字線分成預定部分，分別依次選中各部分的字線；對所有選中的字線同時執行芯片擦除操作。

可選的，根據芯片功率大小以及字線譯碼的功耗確定將所述字線分成的預定部分的數目。

可選的，所述預定部分的數目為2的自然數次冪。

可選的，所述預定部分為2、4、8和16中之一。

與現有技術相比，本發明操作簡便，可根據芯片功率大小以及字線譯碼的功耗對字線譯碼分分部分完成，實現了工耗和譯碼效果的均衡，降低了譯碼時的瞬時功耗，避免了由此而帶來的諸多問題。

附圖說明

圖1是現有技術中譯碼裝置和字線陣列的結構示意圖；

圖2是現有技術中所有字線被同時選中的波形示意圖；

圖3是本發明芯片擦除方法一種實施方式的流程示意圖；

圖4是本發明芯片擦除方法一種實施方式中字線被分為4個預定部分的結構示意圖；

圖5是本發明芯片擦除方法一種實施方式中被分為預定部分的字線分別被選中的波形示意圖。

具體實施方式

發明人在總結了大量的實踐經驗之后，提出了一種新型的芯片擦除方法，通過將譯碼獲得的字線分成預定部分并分別選中各部分的字線，此后再執行擦除，從而避免了由于同時對所有字線進行譯碼和選中而帶來的瞬時高功耗，以及由于瞬間功耗的增大而帶來的電源電壓降低等諸多問題，有效地節省了工時和能耗，保證了芯片的正常工作。

下面結合附圖和具體實施例，對本發明芯片擦除方法的實施方式作進一步說明。

參考圖3，本發明芯片擦除方法的一種實施方式可包括：

步驟S1，通過譯碼獲得對應的字線；

步驟S2，將譯碼獲得的所述對應的字線分成預定部分，分別依次選中各部分的字線；

步驟S3，當完成所有字線的譯碼之后，執行芯片擦除動作。