[發明專利]保護集成電路芯片免受激光攻擊的方法

有效

• 申請號: 201010504549.6
• 申請日: 2010-10-08
• 公開（公告）號: CN102034688A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 帕斯卡·弗納拉;法布萊斯·馬里內特
• 申請（專利權）人: 意法半導體(胡希)公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/552
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 張春媛;閻娬斌

1.一種用于保護集成電路芯片(21；31)免受激光攻擊的方法，所述集成電路芯片形成在半導體襯底(3)的內部和頂部上，并且在襯底的上部中包含形成組件的有源部分(5)，該方法包括以下步驟：

在所述襯底中形成延伸于所述有源部分(5)下方的吸雜區域(23；33)，該區域的上限在距所述襯底的上表面范圍在5微米和50微米之間的深度處；以及

在所述襯底中引入金屬雜質，所述金屬雜質適合于以范圍在每立方厘米10¹⁷和10¹⁸個原子之間的濃度保留在所述吸雜區域中。

2.如權利要求1的方法，其中吸雜部位的形成包括在所述襯底中深注入惰性氣體的步驟，然后進行退火步驟。

3.如權利要求2的方法，其中所述惰性氣體為氦氣。

4.如權利要求2的方法，其中所述區域(23)延伸的厚度范圍在0.5微米和5微米之間。

5.如權利要求1中的方法，其中吸雜部位通過氧氣的沉定形成。

6.如權利要求5的方法，其中所述區域(33)一直延伸到所述襯底的背面。

7.如權利要求1的方法，包括在所述襯底中注入金屬原子的步驟。

8.如權利要求1的方法，其中所述金屬雜質包括鐵原子。

9.一種在半導體襯底(3)的內部和頂部上形成的集成電路芯片(21；31)，其包括：

在所述襯底的上部中的、在其中形成有組件的有源部分(5)；以及

在所述有源部分(5)下方以及在距所述襯底的上表面范圍在5微米和50微米之間的深度處的區域，所述區域包含用于吸取金屬雜質的部位，并且包含濃度范圍在每立方厘米10¹⁷個原子到每立方厘米10¹⁸個原子之間的金屬原子。

10.如權利要求9中的芯片，其中所述金屬雜質包括鐵原子。