[發(fā)明專利]多層金屬互連金屬線的電遷移可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)及制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010504055.8 | 申請(qǐng)日： | 2010-10-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102446900A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王篤林;陳琦;范曾軼;廖炳隆 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/544 | 分類號(hào)： | H01L23/544;G01R27/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀(jì)鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多層 金屬 互連 金屬線 遷移 可靠性 測(cè)試 結(jié)構(gòu) 制備 方法 | ||
1.一種多層金屬互連金屬線的電遷移可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括多層金屬線，所述金屬線的長(zhǎng)度為大于等于200微米，金屬線的其它參數(shù)與所要測(cè)試的芯片設(shè)計(jì)要求相同，每?jī)蓪咏饘倬€之間采用通孔連接，形成類“弓”字結(jié)構(gòu)；其中第一層金屬線中遠(yuǎn)離通孔的一端和頂層金屬線中遠(yuǎn)離通孔的一端分別為設(shè)置有電流輸入端；所述各層金屬線兩端分別設(shè)置有電壓量測(cè)端。
2.按照權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電流輸入端的線寬為所述金屬線線寬的5倍。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬線的長(zhǎng)度為400微米。
4.一種如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：
步驟一，將所述測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在芯片的空白區(qū)域，整合到芯片制備的后道金屬化工藝中，完成整個(gè)芯片的制備；
步驟二，在芯片切割的同時(shí)切割出所述測(cè)試結(jié)構(gòu)，后進(jìn)行封裝待用。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華虹NEC電子有限公司，未經(jīng)上海華虹NEC電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010504055.8/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
