[發明專利]一種應用于VDMOS器件的靜電放電保護結構

無效

• 申請號: 201010503634.0
• 申請日: 2010-10-12
• 公開（公告）號: CN102005450A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 張世峰;韓雁;揭英亮;陳素鵬;胡佳賢;張斌
• 申請（專利權）人: 浙江大學;廣東省粵晶高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種應用于VDMOS器件的ESD保護結構，所述的VDMOS器件包括從下至上依次層疊的N+襯底、N-外延層和柵氧層，其特征在于：所述的ESD保護結構由注于柵氧層下方的P+摻雜區、設于柵氧層上方的摻雜多晶硅以及P+摻雜區和摻雜多晶硅之間的柵氧層構成，所述的摻雜多晶硅由n+1個N+注入區和n個P-注入區組成，所有N+注入區和P-注入區沿同一方向排列且互相間隔設置，n為大于1的自然數。

2.根據權利要求1所述的ESD保護結構，其特征在于：所述n為2～10。

3.根據權利要求1所述的ESD保護結構，其特征在于：所述的P+摻雜區的厚度為3.0～4.5um之間。

4.根據權利要求1所述的ESD保護結構，其特征在于：所述的P+摻雜區的摻雜濃度為1E19～1E20cm^-3。

5.根據權利要求1所述的ESD保護結構，其特征在于：所述的柵氧層的厚度為50nm～120nm。

6.根據權利要求1所述的ESD保護結構，其特征在于：所述的摻雜多晶硅的厚度為400nm～600nm。

7.根據權利要求1所述的ESD保護結構，其特征在于：所述的N+注入區摻雜濃度為1E19～1E20cm^-3。

8.根據權利要求1所述的ESD保護結構，其特征在于：所述的P-注入區的摻雜濃度為1E16～4E16cm^-3。

9.根據權利要求1所述的ESD保護結構，其特征在于：所述的N+注入區和P-注入區為條形或圓形。