[發明專利]超亮度發光二極管及其制作方法有效
| 申請號: | 201010503196.8 | 申請日: | 2010-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN102130249A | 公開(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發明(設計)人: | 張汝京;肖德元 | 申請(專利權)人: | 映瑞光電科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/20 | 分類號: | H01L33/20;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 亮度 發光二極管 及其 制作方法 | ||
1.一種超亮度發光二極管,其特征在于,包括:反射襯底,所述反射襯底上的發光二極管管芯,其中,所述反射襯底朝向發光二極管管芯的一側形成有一個以上的反射凹坑。
2.如權利要求1所述的超亮度發光二極管,其特征在于,所述反射襯底為硅、藍寶石或碳化硅。
3.如權利要求1所述的超亮度發光二極管,其特征在于,所述反射凹坑呈錐形,所述錐形反射凹坑的開口面積為10至100平方微米。
4.如權利要求1所述的超亮度發光二極管,其特征在于,所述發光二極管管芯還包含有多個自集成側邊反射罩,所述自集成側邊反射罩至少由所述發光二極管管芯表面延伸至發光二極管管芯底部。
5.如權利要求4所述的超亮度發光二極管,其特征在于,所述自集成側邊反射罩頂部開口面積大于底部面積。
6.如權利要求4所述的超亮度發光二極管,其特征在于,所述自集成側邊反射罩的光出射方向上具有透鏡結構。
7.如權利要求6所述的超亮度發光二極管,其特征在于,所述自集成側邊反射罩采用樹脂材料形成。
8.如權利要求1所述的超亮度發光二極管,其特征在于,所述發光二極管管芯包含反射襯底上方的緩沖層、有源層、帽層。
9.如權利要求8所述的超亮度發光二極管,其特征在于,還包括位于反射襯底和緩沖層之間的外延層。
10.如權利要求8所述的超亮度發光二極管,其特征在于,其特征在于,還包括位于帽層上方的接觸層。
11.如權利要求10所述的超亮度發光二極管,其特征在于,所述發光二極管管芯還包含有多個由接觸層延伸至緩沖層的自集成側邊反射罩,以及第一電極、第二電極與第二電極連接件,其中,所述接觸層上包括多個透鏡結構,所述第一電極位于接觸層上處于透鏡結構之間,所述第一電極包括用于連接電源正極的第一電極連接端,
所述第二電極位于自集成側邊反射罩底部,
所述發光二極管還包括自接觸層延伸至緩沖層的開口,用于容納第二電極連接件,所述第二電極連接件用于連接第二電極和電源負極。
12.一種超亮度發光二極管的制作方法,其特征在于,包括:
提供襯底,在所述襯底上形成發光二極管管芯;
剝離所述襯底與發光二極管管芯;
在襯底表面形成反射凹坑;
將所述襯底形成有反射凹坑的一側與發光二極管管芯連接。
13.如權利要求12所述的超亮度發光二極管的制作方法,其特征在于,所述提供襯底,在所述襯底上形成發光二極管管芯包括:
提供襯底;
在所述襯底上依次形成外延層、緩沖層、有源層、帽層以及接觸層。
14.如權利要求13所述的超亮度發光二極管的制作方法,其特征在于,在形成接觸層之后,在所述接觸層上形成透鏡結構。
15.如權利要求14所述的超亮度發光二極管的制作方法,其特征在于,在所述接觸層上形成透鏡結構的步驟包括:
在接觸層上通過光刻形成多個圓形光刻膠臺;
對所述圓形光刻膠臺在150℃~200℃溫度下進行烘烤,使所述圓形光刻膠臺成為球冠狀光刻膠;
以所述球冠狀光刻膠為掩膜,離子束刻蝕所述接觸層形成多個透鏡。
16.如權利要求13所述的超亮度發光二極管的制作方法,其特征在于,在所述襯底上依次形成外延層、緩沖層、有源層、帽層以及接觸層之后,
形成至少自接觸層延伸至緩沖層頂部的溝槽;
向所述溝槽內填充透光材料,形成自集成側邊反射罩。
17.如權利要求16所述的超亮度發光二極管的制作方法,其特征在于,所述向溝槽內填充透光材料形成自集成側邊反射罩之后,在溫度為150℃~200℃范圍內,高溫烘烤所述自集成側邊反射罩,使所述自集成側邊反射罩的頂部呈透鏡結構。
18.如權利要求12所述的超亮度發光二極管的制作方法,其特征在于,所述襯底為硅、藍寶石或碳化硅,在所述在襯底表面形成反射凹坑包括:采用各向異性腐蝕在所述襯底中形成反射凹坑。
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